半導体用語集日本語
半導体用語集日本語
- アーキテクチャ ◇architecture
基本設計、設計思想のこと。語源は｢建築｣を意味する。ハードウェア、ソフトウェアを開発・設計する場合、その思想を構築していくさまが、建築物の設計に似ているところから、アーキテクチャという名称が用いられている。 - アイソレーション ◇isolation
素子間分離。ICで同一基板内の各素子が干渉しあい悪影響をおよぼさないように、お互いを電気的に絶縁分離すること。LOCOSは代表的なものである。 → LOCOS - アクセスタイム ◇access time
メモリが読み出し動作を開始してから、メモリセルのデータが出力端子に現れるまでの時間。メモリの読み出し動作時間を示す。 - アクセストランジスタ ◇access transistor
メモリICで、情報を記憶するメモリセルに対して、外部から情報を取り込んだり、外部への情報送出を行うトランジスタのこと。 - アクチュエータ ◇actuator
物を動かしたり、制御したりする装置または機構のこと。電気・磁気エネルギーや油圧・空気圧を利用したものが多い。最近は光や化学エネルギーを利用したものも開発されている。 - アスペクト比 ◇aspect ratio
横縦の比率。半導体の配線パターンでは、配線幅に対する配線の厚さ（高さ）の比率をいう。コンタクトホールでは、開口直径に対する開口深さの比率をいう。 - アセットライト ◇asset-light ⇒ファブライト
- アセンブリハウス ◇assembly house
半導体製造におけるパッケージ組み立て工程だけを請け負う企業。組み立て工程に特化することで、組み立て技術、コストなどで優位性を発揮している。 - アッシング ◇ashing
灰化。IC のリソグラフィ工程で、フォトレジストを塗布・露光・現像し、エッチングなどのマスクとして利用した後に、不要となったフォトレジストを除去する場合、酸素プラズマなどで反応させ、除去する方法をいう。 - 圧電素子 ◇piezoelectric device
ピエゾ素子。圧電効果を利用した素子。誘電体（絶縁体）またはセラミックの一種。圧電効果とは、圧縮や伸長によって誘電分極が起き、素子の両端に電位差を生じる現象またはこの逆の反応。圧電振動子（超音波発信器）、SAW（Surface Acoustic Wave：表面弾性波）フィルタ、加速度センサなどがある。 - 後工程 ◇assembly and testing process
IC 製造工程で、前工程（拡散工程）ででき上がったシリコンウェハを、1 個1 個のチップに切り分け、パッケージに収納（封止）する工程をいう。組み立て工程、選別工程、バーンイン工程、検査工程などがある。 → 前工程 - アナデジIC ◇analog-digital IC
アナログ・デジタル混載IC。ミックスドシグナルともいう。アナログ回路とデジタル回路を混載したIC。 → Bi-CMOS - アニール ◇anneal
ひずみなどの除去・防止のための熱処理。焼き戻しともいう。IC 製造工程では、たとえばイオン注入後に、レーザや電子ビーム、電気炉などを使用して、導入した不純物を電気的に活性化・安定化したり、傷ついた結晶格子のダメージ回復のための熱処理をいう。 アバランシェ降伏 ◇avalanche breakdown なだれ効果。なだれ降伏ともいう。半導体の接合部の両側に十分大きな電界を加えると、電界によって加速されたキャリア（電子あるいは正孔）が格子原子と衝突し、電子・正孔対を作る。これがさらに格子原子と衝突し、電子・正孔対を作る。このように半導体内のキャリアがなだれ的に増大する現象をいう。pn 接合に逆方向に大きなバイアス電圧をかけた場合などに起きる。 - アモルファス ◇amorphous
非晶質。ガラス質ともいう。固体材料で構成原子が規則正しい配列をもたない状態のもの。アモルファスシリコンは不規則的構造で無定型状態だが、半導体の性質をもつ。これを利用して液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ（TFT）や太陽電池などが作られている。 → TFT - アラインメント ◇alignment
位置合わせ。マスクパターンをウェハなどに転写する時の位置合わせ、あるいはその操作をいう。 → ステッパ - アンチダンピング ◇antidumping
輸出された商品の価格が、国内より安い価格で販売されることを「ダンピング」という。これによって、輸出先の競合産業が不利益となる場合、輸出先国が自国産業を救済するためにとる処置をいう。 - イーサネット ◇Ethernet
LAN（Local Area Network）に使用される技術規格。1 本の伝送線に分岐する形で端末をつなぐ。データ伝送速度は10M、100M、1Gビット/秒で、伝送媒体には10BASE、100BASE、1000BASE規格のケーブルを使用する。 → LAN、WAN - イールド ◇yield
⇒ 歩留り（ぶどまり） - イオンビーム ◇ion beam
真空中で加速・集束した細い線状のイオン粒子の流れのこと。イオンビームエッチングやイオンビームリソグラフィなどに利用されている。 → FIB - イオン注入 ◇ion implantation
イオン打ち込みともいう。原子をイオン化して加速し、固体中に注入すること。この原子を不純物原子と呼ぶ。物体の性質を変える方法の一つ。半導体では、MOSトランジスタのソースやドレイン領域をp 型またはn 型にするためや、一部を低抵抗にするために利用する（不純物注入）。熱拡散で不純物を導入する方法に比べて、濃度や分布を制御しやすい。 - 位相シフトマスク ◇phase-shifting mask（PSM）
光の位相や透過率を制御することで、解像度や焦点深度（DOF：Depth of Field）を改善し、転写特性を向上させたフォトマスク。露光波長以下のリソグラフィには標準的に使われる。「ハーフトーン型」（Attenuated PSM）や「レベンソンマスク」（AlternativePSM）などがある。これに対して、従来の通常のフォトマスク（クロムマスク）は、光を透過する/遮断するという機能だけのため、バイナリマスクという。 → 光学近接効果補正、超解像、レベンソンマスク、リソグラフィ - イベント ◇event
マイクロプロセッサを含むシステム内で発生する事象のことをいう。CPUコア内部の処理途中での例外的な事象や、ある処理への割り込みや、外部入力の発生通知など。 → CPUコア - イメージセンサ →image sensor
走査と受光器の両機能を具備し，走査しながら光電変換を行う素子．charge coupled device(CCD)や photo diode array(PDA)などがあり， 原稿像の読み取りには画素を直線状または千鳥状に配列したものが用いられる．（参照：電荷結合素子) インタレース ◇interlace 飛び越し走査。テレビ画面やディスプレイで、1 回の画面表示（1フレーム）を奇数段目と偶数段目の2 回の走査（2フィールド）に分けて行うこと。動画表示のときチラツキを抑えられるため、ほとんどのテレビで採用されている。これに対し、1 回の走査で画面表示を行う方式はノンインタレース（プログレッシブ）という。 → I-P変換、プログレッシブ - インバータ ◇inverter
直流の電圧や電流を交流に変換する回路または装置。主にエアコンなどの交流モータの回転数を変えるのに用いられる。 → コンバータ - ウェットエッチング ◇wet etching
⇒ エッチング - ウェハ ◇wafer
単結晶のシリコン（Si）インゴットから切り出し、表面を研摩した円板状の薄い板のこと。この上に各種IC が作られる。最近では直径が300mm（12インチ）のウェハがICの量産に使用されている。 → 鏡面ウェハ - ウェハプロセス ◇wafer process
ウェハの上に多数のIC チップを作り込む工程。前工程、拡散工程ともいう。 → 後工程、前工程 - ウェハレベルCSP ◇wafer level chip size package
個々のチップに分割する前のウェハ段階で、外部接続用の電極を設け、樹脂封止をしたパッケージ形態。 → CSP - ウェル ◇well
シリコンウェハの表面近くに形成した比較的深い不純物添加領域のこと。ここにトランジスタなどの素子を作る。ウェルにはp 型とn 型の2 種類がある。 - エアギャップ ◇air-gap
多層配線における絶縁方法の一つで、層間絶縁膜の代わりに空気の隙間（空隙、エアギャップ）を形成し利用するもの。微細化による配線間容量増大にともなって発生するシグナルインテグリティの劣化への一対策として、層間絶縁膜の誘電率を通常の酸化膜（SiO2）の値よりも下げた膜（Low-k膜）を用いる場合がある。それをさらに進めて最も誘電率の低い空隙を配線間の絶縁としている。 → Low-k、多層配線、シグナルインテグリティ - エキシマレーザ ◇excimer laser
IC のリソグラフィ工程（露光工程）で用いるレーザ光源のこと。KrF（フッ化クリプトンエキシマレーザ、波長248nm）、ArF（フッ化アルゴンエキシマレーザ、波長193nm）、F2（フッ素エキシマレーザ、波長157nm）などがある。KrFはハーフピッチ0.25 ～ 0.13μm の量産に、またArFは同0.13 ～ 0.07μm 用として採用されている。 - 液晶 ◇liquid crystal
通常、物質は温度を上げていくとある温度で固体から液体に変化する。しかし、特殊な分子構造をもつ物質の中には液体に直接転移せず、中間状態を経てから通常の液体になるものがある。この固体、液体、気体のいずれにも属さない第4 の状態を示す物質が液晶である。液晶は液体のように流動性があり、電気光学的には結晶（固体）の特性をあわせもつ。液晶を光シャッタとして用いたディスプレイをLCD（Liquid Crystal Display）という。 - 液浸リソグラフィ ◇immersion lithography
フォトリソグラフィ（光露光）で、縮小投影レンズとフォトレジスト（ウェハ基板）との間に、屈折率が1より大きい液体を充填してパターンを転写する技術。液体の屈折率をnとすると、投影レンズの開口数NAがn 倍に拡大され、解像性能がn 倍向上する。現状では液体として水（n ＝ 1.4）が用いられている。 → 超解像、リソグラフィ - エッチング◇etching
食刻ともいう。一般には化学薬品などの腐食作用によって物体を削ること。IC やプリント配線基板など精密な加工に多く使われる。フォトリソグラフィ（光露光）で形成したレジストパターンをマスクにして、下地の薄膜をエッチングし、パターン形成を行う。薬液を用いる方法を「ウェットエッチング」、プラズマやイオンを利用する場合を「ドライエッチング」という。 - エピタキシャル成長 ◇epitaxial growth
下地の単結晶基板上に、それにならって結晶方位、結晶構造、近い格子定数をもつ膜を堆積させる方法。 → CVD - エミュレーション ◇emulation
特定のハードウェア向けに開発されたプログラム（ソフトウェア）を、他のハードウェア上で擬似的に動作させること。擬似的・模擬的に動作するソフトウェアや装置を「エミュレータ」という。 → シミュレーション - エリアセンサ ◇area sensor
受光部をエリア状（2次元）に並べたイメージセンサ。カメラなどの画像入力装置として用いられる。CCD（電荷結合素子）とCMOSイメージセンサがあり、画質ではCCDに、コストではCMOSイメージセンサに優位性がある。しかし、近年ではCMOSイメージセンサの画質向上は著しく、一眼レフカメラにも使用されるようになった。 → CCD、CMOSイメージセンサ、ラインセンサ - エレクトロマイグレーション◇electromigration
半導体デバイスなどの金属配線中を電流が流れるとき、電子と原子の衝突による運動量の移転で、電子の流れる方向に原子が移動する現象。電流密度が増大すると配線が断線を起こす。この配線寿命は、電流密度の2 ～ 3 乗に逆比例する。すなわちデバイスの微細化は、電流密度の増加につながり、寿命を著しく低下させる恐れがある。また、金属配線が熱によって応力を受け断線につながるストレスマイグレーションもある。 - エレクトロルミネッセンス ◇electroluminescence
半導体などの物質に電界を印加することによって得られる発光現象のこと。材料によって有機ELと無機ELがある。有機ELは陽極から注入されたホール（正孔）と陰極から注入された電子とが有機発光層で再結合して発光する。直流電流の注入によって発光する発光ダイオード（LED）と同じ発光機構をもつため、有機LED（OLED）とも呼ばれる。液晶、PDPに次ぐディスプレイへの応用が期待されている。無機EL は、蛍光体を含む膜に交流高電界を加えたときに起こる電子の衝突励起によって発光する。ZnS:Mnによるオレンジ色の発光が代表的。 → 無機EL、有機EL エンコーダ ◇encoder 符号器ともいう。ある情報や信号をデジタル符号化すること、またはその機能。デジタル信号の冗長度（データ量）を減らす（帯域圧縮）などに用いられる。これに対して、ある符号から元の信号を復元する機能をもつのがデコーダ（復号器）である。 → デコーダ - エンジニアリングサンプル ◇engineering sample
ES。ICをユーザに機能や性能を評価してもらうためのサンプル。一般に、コマーシャルサンプル（CS）と異なり、信頼性を保証していない。 → コマーシャルサンプル - エンハンスメント型FET ◇enhancement-type FET
ノーマリオフ型FET（Normally-off FET）ともいう。FET（電界効果型トランジスタ）で、ゲート電圧を0V 以上にしないとドレイン電流が流れないタイプのトランジスタ。これに対して、ゲート電圧が0V でもドレイン電流が流れるタイプをデプレッション（depletion）型FETという。MOS FET では、チャネル濃度によってエンハンスメント型にもデプレッション型（ノーマリオン型）にもできる。 - エンベデッドセルアレイ ◇embedded cell array
ECA、エンベデットアレイともいう。ゲートアレイの一つ。ゲートアレイに機能ブロックを組み込み、特定用途向けを指向したIC。RAM やROM、CPUなどを効率よく内蔵できる。SOG（Sea of Gate）やチャネルレス型ゲートアレイと呼ぶエンベデッドアレイもある。 → ゲートアレイ - オープンOS ◇Open OS（Operating System）
仕様やソ－スコードがオープンになっているオペレーティングシステムのこと。個々にライセンスが決まっており、自由に利用（複製・再配布・改変）できるライセンスであることが多い。TRON、T-Kernel、TOPPERS、LinuxなどのOSがある。 - オプトエレクトロニクス ◇optoelectronics
オプティクス（光学）とエレクトロニクス（電子工学）の合成語。光から電気信号へ、あるいは逆に電気信号から光へと変換する技術の総称。半導体レーザ、発光ダイオード（LED）、EL、光ファイバ、光メモリ、光変調素子、光シャッタなどがある。 - オペアンプ ◇operational amplifier
演算増幅器。OPアンプともいう。アナログコンピュータの高精度線形増幅器として使われたところから名付けられた。バイポーラ技術で高利得・広帯域の直流増幅器をIC 化したものが多い。また、品種も多く汎用リニアIC の代表製品である。このオペアンプとA-D 変換器（アナログ-デジタル変換器）をあわせて、ミックスドシグナルデバイスという場合もある。 - オン抵抗 ◇on-resistance
ゲート信号によって、MOSFETが導通している状態での抵抗成分のこと。 - カーボンナノチューブ ◇carbon nano tube
炭素の六員環だけを平面状につなげた六角網構造のシートを筒状に丸めた基本結晶構造をもち、単層CNT（Carbon Nano Tube）と呼ばれる。CNTには筒が多層に重なった多層CNT や、チューブの直径が異なるものなどがある。それぞれ違った特性をもち、金属から半導体（p 型またはn 型）の特性を示す。半導体では融点が高く、電子（またはホール）移動度と熱伝導率がシリコンよりはるかに大きい。トランジスタやフィールドエミッションディスプレイ（FED）、燃料電池の電極材料などの応用を目指した開発が進められている。 → ナノテクノロジ - 開口数 ◇numerical aperture（NA）
対物レンズの光学的な性能を決める重要な要素の一つ。対物レンズの開口数が大きいほど分解能が高くなり、より微小な寸法での加工や微細な像観察が可能となる。開口数は次式で表される。開口数（NA）＝n sinθ。ここでn は試料と対物レンズとの間にある媒質の屈折率（空気は n＝1）、θはレンズの一番外を通る光線（周縁光線）と光軸とで形成される角度である。 → 超解像 - 回路シミュレーション ◇circuit simulation
電子回路のアナログ動作を解析する方法。トランジスタ、抵抗、容量などの回路構成素子特性と回路接続状態を入力して回路内の電圧、電流などの直流特性、交流特性、過渡特性、周波数特性などの解析を行う。トランジスタレベルの回路設計に一般的に使用されている。その代表的なものがSPICEである。 → SPICE - 化学的機械的研磨 ◇chemical mechanical polishing
⇒ CMP - 化学的気相成長法 ◇chemical vapor deposition
⇒ CVD - 拡散層 ◇diffusion layer
半導体表面から熱的な方法またはイオン注入によって不純物原子を注入すると、深さ方向に濃度勾配をもった層（p 型、n 型の層）ができる。この層のことを拡散層という。拡散層中での不純物原子の濃度は均一でなく、内部にいくにしたがって薄くなる。このため拡散層の評価は表面濃度（シート抵抗）、拡散層深さなどで行う。IC の中で拡散層は抵抗や配線などにも使われている。 - 拡散抵抗◇diffused resistor
半導体デバイスの不純物を拡散させた層の抵抗のこと。拡散層抵抗ともいう。抵抗素子としてみれば、拡散抵抗は一般に抵抗値の温度特性があまり良くなく絶対値精度も低い。しかし、チップ内（2 個またはそれ以上）での抵抗値間での相対精度は高い。この特長を生かしてIC 内の差動増幅回路などに用いられている。 - 化合物半導体 ◇compound semiconductor
2つ以上の元素からなる半導体をいう。Ⅲ族とⅤ族を組み合わせたGaAs、InP、GaNや、IV族とIV族同士を組み合わせたSiGeや、Ⅱ族とVI 族を組み合わせたZnO、CdTe、（ZnSe）などがある。これらの元素を組み合わせることで、単一元素では実現できない半導体の特性を実現することが可能である。超高速・超高周波デバイスや、光デバイス（半導体レーザ、LED）などに利用されている。 → GaAs - カスタムIC ◇custom integrated circuits
ユーザ（顧客）の仕様に合わせて作る特注のIC。フルカスタムICとセミカスタムICがある。 → ASCP、ASIC、ASSP、汎用IC、ゲートアレイ、セルベースIC - 画素 ◇pixel
ディスプレイなどで、文字や絵などの画像を構成する最小単位。この画素を、R（赤）G（緑）B（青）など3原色に分解した場合は、それぞれを「ドット」という。RGB の3ドットで1 画素を構成する。一つの画像の画素数が多いほど画像ははっきりする（解像度が高い）。CCD やCMOS 撮像素子では、受光しその信号が出力される最小単位を有効画素といい、その総数を有効画素数という。これ以外に光電変換機能をなくした画素も含めたものを総画素数という。 - 加速試験 ◇accelerated test
デバイス使用環境における特定のパラメータ（電圧、温度、湿度、圧力など）に対し、その条件を通常動作範囲よりも、さらに過酷な環境に変化させて故障観察を行い、実使用条件下での故障率を推定する信頼性試験方法。 → FIT - 可変抵抗器
→連続的または断続的に抵抗値を変えられる抵抗器。ラジオやアンプの音量調節など、電子機器に広く用いる。加減抵抗器。ボリューム。レオスタット。 - ガリウムひ素半導体 ◇Gallium Arsenide semiconductor
⇒ GaAs IC - 環境経営 ◇environmental management
企業が環境保全への自主的取り組みを経営戦略の一要素として位置付けること。具体的には、国際規格に準拠した環境管理体制の構築（ISO14001の取得）や環境に配慮した製品・生産の展開・グリーン調達、使用済み製品や製造にともなう廃棄物の再利用・再生利用の促進などがあり、その取り組み状況は環境報告書や環境会計などを通じ開示される。 → グリーン調達 - 寄生パラメータ◇parasitic parameter
ゲート電極と基板の間、配線と基板の間、配線と配線の間の容量C、また配線自体の抵抗R、配線層をつなぐスルーホールや配線と拡散層をつなぐコンタクトホールの抵抗R、それらによるインダクタンスL やトランジスタ成分などを総称して寄生パラメータという。 - 気相成長 ◇vapor phase growth
材料を気体（気相）状態にして結晶基板表面に薄膜を成長する技術。これには、化学的気相成長法（CVD）と物理的気相成長法（PVD）がある。 → CVD、PVD - 機能シミュレーション ◇functional simulation
ゲートレベル（論理レベル）より上位概念である動作レベルで、システムの仕様を記述して検証すること。 - 機能設計 ◇function design
IC 設計の一つ。システム仕様に基づいて、そのICにどのような機能をもたせるかを設計すること。あるいは、その設計工程をいう。最近では設計にCADなどを利用した自動設計が一般的となっている。機能合成ともいう。また、機能設計には機能検証もある。 → CAD、HDL 揮発性メモリ ◇volatile memory 電源を切ると記憶しているデータが消えてしまうメモリ。SRAM、DRAMが代表的である。 → DRAM、SRAM、不揮発性メモリ - キャッシュメモリ ◇cache memory
キャッシュ（Cache）とは隠し場所の意味で、頻繁に用いるデータを一時的に保存するバッファ。容量は小さいが、動作速度が速いのが特徴。コンピュータの処理速度の向上のために、CPU（プロセッサ）と主記憶装置の間に置かれる記憶装置をいう。 - 協調検証 ◇co-simulation
プロセッサモデルとシステムモデルとを結びつけ、ハードウェアとソフトウェアを同時にシミュレーションする方法。システムLSI 開発では最適なハードウェア/ソフトウェア分割の検証、システム検証に用いられる。 - 強誘電体 ◇ferroelectric material
外部からの電界の方向によって、自発分極の向きが変わる誘電体のこと。 - 強誘電体メモリ◇ferroelectric random access memory
⇒ FeRAM（FRAM） - キルビー特許 ◇Kilby patent
米国Texas Instruments社のJack.S.Kilby 氏が1959 年に出願したIC の特許。チップ内の素子を結んだ構造。1986年には日本で公告された。 - 近接効果 ◇proximity effect
⇒ 光学近接効果補正 - 組み込みシステム ◇embedded system
家庭電化製品や自動車、インフラ機器などで、機能を実現または制御するために、プロセッサ/マイコンなどの電子デバイスを組み込んだ電子機器の総称。その応用範囲は多岐にわたり、私達の生活のいたるところに存在する。 - 組み立て工程 ◇assembly and testing process
⇒ 後工程 - グリーン エンドプロダクト ◇green end-products
低消費型の最終エレクトロニクス製品を実現し、最終ユーザでの、省エネを実現すること。 - グリーンソサエティ ◇green society
調達、製造、顧客との共同作業から社会での使われ方までを睨んだサプライチェーン全体の視点で捉えた省エネ貢献を推進すること。 - グリーンファブ ◇green fabrication
省エネルギーや省資源、適正な化学物質管理を推進している半導体工場。 - グリーンプロダクト ◇green products
半導体自体の省エネルギー化を図り、製品含有化学物質管理をし、材料もグリーンである半導体製品。 - クリーンルーム ◇clean room
非常に清浄な環境条件を保ち、同時に温度・湿度を制御・モニタしている工場または作業場所。IC では、nm オーダの超微細なパターンを加工しているため、微量のゴミ（パーティクル）や金属、各種イオン、有機物などの不純物が存在すると、IC の歩留りや性能、信頼性などを低下させる。そのため、IC の製造はクリーンルーム内で行う。クリーンルームの清浄度のレベルは、存在するゴミの粒径と個数によって「クラス」という名前で表される。清浄環境を実現するため、一般には全体に与圧をかけ、天井のフィルタから網目状になっている床に向かって絶えず空気を流し続けている（ダウンフロー）。クリーンルームの建設コストや運転コストを下げる目的で、SMIF やFOUPなどの局所クリーン化方式が採用されている。 → FOUP、SMIF - グリーン購入 ◇green purchasing
1999 年に制定された「環境物品等の調達の推進等に関する法律」（グリーン購入法）によって官公庁などが環境に優しい物品を購入すること。 - グリーン調達 ◇green procurement
企業が必要な部材を調達するとき、国際規格に準拠した環境体制ができた（ISO14001を取得した）取引先から優先的に部材を購入したり、省エネルギー性に優れたあるいは有害物質を含まない部材を優先的に調達すること。 - クロストーク ◇cross talk
回路の信号が配線間の寄生容量の影響によって変化すること。配線間の結合容量が、他の容量因子よりも大きいときにより顕著となる。 → 寄生パラメータ - クロックスキュー◇clock skew
同期回路を制御するクロック到達時間のばらつき。単にスキューともいう。クロック信号を駆動するドライバや伝播する経路の違いによって生じる。スキューが大きくなると、高速化の妨げとなるばかりでなく、誤動作の原因となる。この対策としてロジックIC では通常、CTS（Clock Tree Synthesis）によって、クロック発生回路から数段のバッファツリーを経由してフリップフロップ（FF）やRAMなどへの同期回路へと、到達時間を極力揃えたクロック信号の分配方法などが採用されている。 - 形式検証 ◇formal verification
ICの機能設計と論理設計の工程で行なわれる静的（スタティック）な回路検証のこと。外部からのテストパターンを必要とせず、回路記述情報を使って検証する手法。形式検証は、プロパティ検証と論理等価性検証とに分けられる。 → プロパティ検証 - ゲートアレイ ◇gate array
ASIC の一つ。開発期間と費用を減らして多品種少量の需要にも応えられるセミカスタムのデジタルIC。短期間にICが提供できる。基本セルを並べたマスタウェハ（配線の直前のウェハ）を準備しておき、ユーザの論理回路図とタイミングチャートをもとに配線を行う。従来は配線領域とゲート領域が分離固定されたタイプであったが、最近はSOG（Sea of Gate）型ゲートアレイが主流となっている。 → ASIC、SOG、マスタスライス - 光学近接効果補正 ◇optical proximity correction（OPC）
IC の加工寸法が微細化し露光波長に近づくと、マスクパターンの形状や大きさ、隣接パターンの影響によって、マスクパターンを忠実にウェハ上に露光できなくなる。この現象を光学近接効果（OPE：Optical Proximity Effect）という。そこで、あらかじめ変形を見越して、パターンの形状に応じて、パターンのエッジに段差（ジョグ）を付けたり、別のパターンを加えたり（ハンマヘッドやアシストバー、セリフ）、またパターン幅を変えるなどの補正を行う。これをOPCという。 → DFM、位相シフトマスク - 構造化テスト ◇structural verification
ICの故障検出手法の一つで、故障モデルに基づいて生成したテストパターンにより故障検出を行なう。短時間で高い検出率を得られる。代表的な手法として、スキャンテストとBIST （Built in Self Test） がある。 → スキャンテスト、BIST - 高誘電率膜 ◇high dielectric constant film
⇒ High-k - コーデック◇CODEC
符号器（Coder）と復号器（Decoder）の合成語。電気信号を一定の符号に変換する符号化機能と、それを元に戻す復号化機能をもつもの。このIC は、通信、インターネット、モデムなどで使用される。 → デコーダ - 故障検出率 ◇fault coverage 総
故障数に対する検出可能な故障数の割合。故障解析の場合には、全回路中で一度に一つしか発生しない縮退故障を対象とすることが多い。 → FIT、MTTB、MTTF、縮退故障 - 固定小数点 ◇fixed point
コンピュータが数値を扱うときの表現方法の一つ。小数点が特定の位置に固定されている数値の表現方法。表現できる数値の範囲は浮動小数点と比較すると狭いが、計算速度は速い。小数点を一番右に固定した固定小数点数が整数である。整数は最も計算速度が速い。 → 浮動小数点 - コネクタ →connector
コネクタとは、コンピュータと周辺機器、電子機器などを接続し、電気的に連絡可能とする、接続器のことである。 コネクタは、一般的には、数本から数十本の複数のライン（信号線）や電源ラインを寄り合わせた伝送線接触させ、 信号や電源をやり取りために設けられる。それぞれペアとなっているラインを固定し、間違いなく結線できるようになっている。 - コプロセッサ ◇coprocessor
補助プロセッサ。CPUコア以外であって、特定の基本処理をハードウェアで実行するプログラマブルなモジュールのこと。浮動小数点演算などCPUコアでも処理可能であるが、CPUコアの効率を上げるために搭載する。 → CPUコア、モジュール - コマーシャルサンプル ◇commercial sample（CS）
ユーザに最終評価を行うために渡すサンプルで、半導体メーカでは社内評価や信頼性試験を終えた状態のもの。これに対し、IC 開発途中で機能や性能を評価するためのサンプルをエンジニアリングサンプル（ES）という。 → ES - コンバータ◇converter
交流を直流に変換したり、電圧を変換したり、周波数を変換する回路または装置をいう。たとえば、DC-DCコンバータで電圧を変換する場合、直流（DC）を一度交流（AC）に変換して電圧を変え、整流し、再度直流（DC）に変換する。このDC-DCコンバータは携帯情報機器に多く用いられる。電池からの電源電圧を、各IC やディスプレイが必要とする電圧に変換するためである。 → インバータ - コンパイラ ◇compiler
主にC 言語などの高級プログラミング言語で記述されたプログラムを一括して翻訳し、プロセッサで実行できるオブジェクトコード（機械語）を生成するプログラムをいう。 - コンパレータ ◇comparator
比較器。複数の入力信号電圧の大小を比較し、それに応じてハイレベル（高レベル）またはローレベル（低レベル）の電圧を出力するもの。出力側がTTLなどの汎用ロジックICと直結できるようになっている。 - コンピュータアーキテクチャ ◇computer architecture
コンピュータの基本構造。建築分野の基本設計や建築様式を表す言葉だったが、コンピュータ分野でもハードウェアやOS、システム、ネットワークなどの基本設計や設計思想のことをいうようになった。 サーミスタ →thermistor わずかな温度の変化によって電気抵抗が大幅に変わる半導体の性質を利用した素子。温度測定・電力測定・自動制御回路などに用いる。 - サーモパイル →thermopile
サーモパイルは熱エネルギーを電気エネルギーに変換する電気部品である。サーモパイルは複数の熱電対（thermocouple） を直列あるいは並列に接続したものである。 - サイクルタイム ◇cycle time
メモリの読み出し、書き込みなどの動作の繰り返しに要する時間。 - 最小寸法 ◇minimum dimension
半導体のパターン設計で使用される最小の寸法。一般に配線ピッチやトランジスタのゲート長などで表される。ＩＣの世代をいう場合もあった。ITRS では世代をハーフピッチで表す。 → 設計基準、ハーフピッチ - サイリスタ →thyristor
出力直流電流を制御する半導体整流素子。シリコンの npnp の四層からなり、両端の電極とゲートと呼ばれる第三の端子をもつ。 動作が速く、効率がよく、小型で長寿命である。SCR - サインオフ ◇sign off
ASICベンダ（半導体メーカ）がユーザ（ASIC発注者）からネットリストを受け取るとき、論理シミュレータでエラーがないことを確認して、受け入れを決めること。最近では承認の意味で使われている。サインオフ後、ASICベンダはチップ製作に取りかかる。サインオフは、従来ネットリストレベルで行われてきたが、現在はRTL でのサインオフも検討されている。 - サブストレート ◇substrate
半導体デバイスを作り込む単結晶基板のこと。シリコンウェハもその一つ。フォトマスクの基板、電子回路モジュールの基板などをいう場合もある。一般には下地シートという意味で使われる。 → ウェハ - サブマリン特許 ◇submarine patent
米国では従来、特許の存続期間が「成立より17年間」と定められていたため、審査を引き伸ばすことによって権利期間の始期をコントロールすることが可能であった。このため、出願公開の制度がなかったことも相まって、突然に、しかも競合他社の動向を見定めた適当なタイミングで特許を出現させ、当該特許権の行使をすることが可能であった。密かに沈んでいて、あるとき突然姿を現すので、サブマリン（潜水艦）特許と呼ばれている。 - 酸化膜 ◇silicon dioxide
⇒ 二酸化シリコン - 紫外線露光 ◇ultra-violet light exposure
UVリソグラフィ。UV 露光ともいう。マスクパターンをウェハ上に転写するIC の露光工程で、紫外線領域の波長の光源を用いた露光法。i 線（波長365nm）ステッパなどがある。 → リソグラフィ - シグナルインテグリティ ◇signal integrity
デジタル信号の波形品質。ロジックICのシグナルインテグリティ保証とは、内部を伝播する信号への、隣接する配線からの影響によるクロストークや信号の反射といった、予期しない歪みを抑えることを指す。 - システムLSI ◇system
LSI SoC（System on a Chip）ともいう。装置（システム）のほとんどの機能を1 チップ上で実現した大規模な ＩＣ。これまで複数のICを組み合わせて構成していた機能を1チップに集約したもの。小型で高性能な機器を実現できる。主に、プロセッサとメモリ、入出力回路、インタフェース回路、通信回路などから構成される。アナログ回路を搭載したICもある。回路規模が大きく設計に時間がかかるため、動作を確認した既存の回路ブロックを再利用する方法が不可欠になった。この再利用できる回路ブロックのことをIP（Intellectual Property：設計資産）という。 → DSP、IP - システム設計 ◇system design
IC で1 個のチップにもたせるべき機能や構成を決めるための設計の最上位工程をいう。システム設計ではハードウェアとソフトウェアの分担を決めるアーキテクチャ設計が重要となる。 - 自動テストパターン生成 ◇automatic test pattern generation
IC の回路故障を検出するテストパターンを自動的に発生させること。略してATPG。特定した故障を想定しシステムのアルゴリズムに基づいてテストパターンを生成する方法と、特定の故障を想定せずにランダムにテストパターンを発生させる方法とがある。現在ではICの設計時、論理合成と同時にテストパターンが発生できるなど操作性、性能ともに向上している。とくにシステムLSＩ（SoC）のような大規模ICを設計する場合には、ATPGが必須となっている。 - シミュレーション ◇simulation
現実の事象をコンピュータ上でモデル化して動作を模擬すること。どのようなことが起こり得るかを調べる。「解析」などに用いる。シミュレーションをする装置またはソフトウェアをシミュレータという。 → SPICE、エミュレーション、論理シミュレーション - ジャイロ ◇gyroscope
ジャイロスコープ のこと。物体の角度や角速度を検出するためのセンサ。ジャイロセンサとも言われるが、これは和製英語。 - 縮退故障 ◇stuck-at fault
IC内の論理素子やフリップフロップなどの入力端子または出力端子が、回路の入力状態に関係なく、論理値“0”または“1”に固定される故障。 - シリコンサイクル ◇silicon cycle
半導体産業特有の3 ～ 5年周期で訪れる好不況の波。 - シリコンファウンドリ ◇silicon foundry
⇒ ファウンドリ - シリコンフォトニクス ◇silicon photonics
シリコン素子上に光素子を形成する技術のこと。光素子とは、受光素子、発光素子、光変調器、光導波路などを指す。従来の光素子はⅢ‐Ⅴ族系半導体で作成されることが多かったが、シリコンプロセスで実現できれば、集積化が容易になり、コストも下がることが期待されている。 - シンクロトロン ◇synchrotron orbital radiation
リング状の電子加速器のこと。略してSOR。物性の評価や解析に用いられている。装置途中の数個所の電子湾曲部で発生する軟X 線を取り出し、露光光源として利用することも研究されている。この軟X線は非常に均質で良好な特性をもつ。 - シンクロナスDRAM ◇synchronous DRAM
外部から入力するクロック信号に同期してデータを入出力するDRAM。 → DDR-SDRAM、EDO - 真性半導体 ◇intrinsic semiconductor
不純物元素を添加していない半導体のこと。真性半導体では、単位体積あたりのキャリアを電子数n、正孔数pで表わすと、nとp が等しくなる。真性半導体のキャリア数は小さいので、通常は不純物を添加して不純物半導体として利用する。リン（P）、ひ素（As）、アンチモン（Sb）などの不純物元素を添加したものをn 型半導体、ホウ素（B）、アルミニウム（Al）などの不純物元素を添加したものをp型半導体という。 → 半導体、ドーピング - スーパーパイプライン ◇super pipeline
パイプラインを構成するステージ数を増やすことで、ステージあたりの処理を単純化し、高い動作周波数を実現した方式。パイプラインによる並列処理では、見かけ上１サイクルあたり、１命令の結果が得られるため、１サイクルあたりの経過時間が短ければ、それだけ短い時間で 1命令の結果が得られることになる。 → パイプライン - スーパスカラ◇superscalar
CPU のアーキテクチャの一種。並列コンピューティングの考え方をCPU 内に実装したもの。1 命令で一つの処理を行う演算装置（ALU：Arithmetic andLogic Unit）を内部に複数もっている。複数の命令を分配機構で、どれが並列に実行できるかを決め、複数のALUに分配し、処理を行う。 - スキャナ ◇scanner
⇒ ステッパ - スキャンテスト ◇SCAN test
大規模な論理IC で必携となっているテスト手法の一つ。検査する回路の経路上にフリップフロップを組み込み、ピン（端子）から順次走査（スキャン）しながら動作を観測することで、回路の短絡・開放・架橋・遅延などを自動的に調べることができる。テストパターンの生成が容易になるので、テスト容易化設計（DFT）として最も普及している。 → BIST、DFT、テスト容易化設計 - 水晶振動子 →quartz crystal unit
水晶振動子とは、圧電効果のある水晶を利用し、高い周波数精度の発振を起こす際に用いられる受動素子の一つ。水晶振動子は電気回路とくらべ周波数が 安定していて、小型化に適している。温度による影響をうけにくい性質がある。水晶を一定方向で切断して製作する。 - 水晶発振器 →Crystal Oscillator
水晶発振器とは、水晶発振子を使用して発振周波数を制御する発振回路のことである。 水晶発振器の振動周波数は、そこに組み込まれた水晶振動子の振動周波数によって決定される。一般的に水晶発振子は温度変化に対する安定性が非常に高いため、 安定した発振回路を構成することができる。 - スクラバ ◇scrubber
IC 製造工程でウェハを回転させながら、ブラシを適当な圧力で接触させ、純水を流しながらブラシを回転・移動して、ウェハ表面の塵埃･堆積物を除去する洗浄機。 - スケーリング則 ◇scaling law
比例縮小法、スケールダウン則ともいう。IC の基本となるトランジスタの性能向上を微細化によって実現させるための基本ルールである。 - スタックドパッケージ ◇stacked package
一つのパッケージに複数のIC チップを積層・搭載したパッケージ。異なる種類のチップや同種のチップを積層することで、実装面積が削減でき、同一面積でデバイスの大容量化、高機能化が実現できる。 → MCP、ＳｉＰ - スタンダードセル ◇standard cell
⇒ セルベースIC → ASIC - ステッパ ◇stepper
縮小投影露光装置。IC製造工程でマスクパターンをウェハ上に転写する露光工程で使用する装置。マスク（レティクル）をレンズ光学系を介してウェハ上に縮小投影し、繰り返し転写（Step and Repeat）することからこの名がついた。露光光源には、可視光のg 線（波長436nm）、紫外線のi 線（波長365nm）、エキシマレーザのKrF（波長248nm）、ArF（波長193nm）などを使う。転写時の縮小率は、4 対1、5 対1、10 対1などがある。最近では、縮小投影レンズをステージに同期させて移動、連続的にマスクを走査する「スキャナ方式」のステッパが採用されている。露光範囲が広がり、チップサイズの大型化に対応でき、同時にスループットも向上できるからである。 → 液浸露光 - スパッタリング ◇sputtering
スパッタともいう。物理的気相成長法（PVD）の一つ。成膜とエッチングの両方の意味がある。真空中にアルゴンなどの放電用ガスを注入して、電極に電圧を加えるとグロー放電が発生する。このとき、プラズマの中のイオンが陰極のターゲットに衝突して原子をはじき出す現象をスパッタという。これを利用して気相成長やエッチングを行う。 → CVD、PVD - スマートフォン ◇smartphone
一般的には、画面が比較的大きく、パソコンのように自由にアプリケーションを追加・カスタマイズできたり、QWERTYキーボードを内蔵する携帯電話をスマートフォンと呼ぶことが多い。しかし、明確な定義がある訳ではない。 → QWERTY、PDA - スループット◇throughput
単位時間内に処理できる仕事量のこと。または、ある仕事を処理するのに必要な時間のこと。IC や電子機器・部品工場では、製造ラインの処理能力を表す。入出力のための準備や後始末などの処理待ち時間も含む。狭義のコンピュータ用語としては、コンピュータの処理能力を示す。 - 製造物責任 ◇product liability
PLともいう。製品の欠陥が原因で消費者がケガをしたり、物品が破損するなどの被害が生じた場合に、製造物やそれに使用される原材料・部品のメーカ、設計者、製造者、販売業者、保守サービス業者、その他製品に関与した者に被害者の損害、損失または懲罰的損害を賠償する責任を負わせること。日本では、1995 年7月に「製造物責任法」（PL法）として施行された。 静電破壊 ◇electrostatic damage（ESD） 人体や機器、周囲環境に帯電した静電気が、ICの端子から内部に侵入することで、pn接合部や配線、酸化膜を破壊する現象のこと。静電気対策として、IC内にダイオードや抵抗からなる入力保護回路を設ける。また、ICを輸送する場合の包装材料や作業環境にも帯電防止を行う。 - 世界知的所有権機関 ◇World Intellectual Property Organization
⇒ WIPO - 設計基準 ◇design rule
設計ルール、デザインルールともいう。ICを設計する時、素子各部の平面的寸法や相互の位置関係、素子間の立体的位置関係などを定めた基本規則（ルール）のこと。 → 最小寸法、ハーフピッチ - 設計検証 ◇design verification
ICの各設計工程における設計の誤り、漏れの検出および設計完成度の確認作業を指す。検証ツールとして、仕様レベルや機能レベルには「機能レベルシミュレータ」、論理レベルには「論理シミュレータ」、トランジスタ回路レベルでは「回路シミュレータ」、マスクレイアウトレベルでは「DRC」「LVS」などがあり、各設計工程に応じた確認が可能である。とくにHDLを用いたトップダウン設計手法では、機能設計段階での設計検証（HDLシミュレーション）によって、設計の早期段階で高い設計品質と短い設計期間を確保することができる。 → DRC、HDL、LVS - セラミックフィルタ →ceramic filter
チタン酸ジルコン酸鉛Pb(Zrx,Ti1－x)O3のように強誘電性物質の粉体を焼結して得たセラミックスに強い電界を印加して分極処理したものは圧電性を示すようになる。 セラミック圧電体の用途には，圧電着火，超音波発振，振動検出などがあるが，共振子として使う場合，特定の周波数の電波だけを選択的に通過させることができる。 これはセラミックスによる電波のフィルターであるのでセラミックフィルターと呼ばれる。 このほか最近では，液体のろ過に使われる耐食性のよいアルミナ， シリカなどのセラミックスの多孔質体もセラミックフィルターと呼ばれるようになった。 - セルサイズ ◇cell size
ICにおける、素子あるいは回路の機能単位面積。メモリICでの情報記憶単位（メモリセル）、ロジックICでの機能単位ブロック（論理セル）、光センサでの受光単位（ピクセル）、などの各面積を指す。 - セルベースIC ◇cell based integrated circuit
ASIC の一種。事前に用意したセルを組み合わせて目的のICを開発する。 → ゲートアレイ、スタンダードセル - センスアンプ ◇ｓense amplifier
メモリICにおいて、メモリセルの非常に微弱な記憶信号を、非常に長いビット線を通して読み出すために用いられる信号増幅器。 → ビット線 - 走査型電子顕微鏡 ◇scanning electron microscope
SEMともいう。高倍率・高分解能の機能をもつ高性能顕微鏡。IC の3 次元微細構造観察や測定に使用される。この装置技術の応用に電子ビーム露光装置がある。 - 挿入実装 ◇insertion mount
プリント基板などのIC 実装方法の一つ。パッケージのリード（端子）を基板の穴（ホール）に差し込み、はんだ付けを行なう方法である。これに対して、基板表面に装着する実装を表面実装（SMT）という。 → 表面実装 - ソレノイド →solenoid
導線を円筒状に均一に巻いたコイル。 - ダイ ◇die
⇒ チップ - ダイオード →diode
ダイオードとは、半導体素子の一種で、単一の方向にしか電流を流さない性質を持った素子のことである。 ダイオードは、p型半導体とn型半導体が接合されて構成されている。それぞれの側から1本づつ電極が伸びており、 p型半導体から伸びている電極はアノード、同じくn型半導体から伸びている電極はカソードと呼ばれている。 電流はアノードからカソードの方向にしか流れない。この性質を利用して、ダイオードは整流回路などに用いられている。 - ダイシング ◇dicing
ウェハ製造工程で完成したウェハ上のチップを，スクライブラインに沿ってダイヤモンドカッタ（ブレード）で切断し，個々のチップに分割する工程。ダイシングには，ウェハ切断時にウェハの厚みを一部残して切り込むハーフカット法と，完全に切断するフルカット法とがある。 - 多層配線 ◇multi-layer interconnection
2 層以上の複数配線を縦方向に積み重ねたIC の配線構造。一般には、アルミニウム（Al）や銅（Cu）のメタル配線を意味する。最近では、システムLSI のように大規模化・高集積化となったため、多層配線が多く利用されている。 →ダマシン法、平坦化 - 多層レジスト ◇multi-layer resist
フォトレジストや無機系薄膜（SOG：Spin on Glass）などを積層したエッチングマスクを多層レジストと呼ぶ。一般にフォトレジストに形成されたパターンは、逐次下層の膜へ加工転写され、最終的に被加工膜が加工される。加工寸法の微細化とともに、フォトレジストは薄膜化される。しかし、エッチング耐性の劣化や、露光時にレジスト内部で発生する酸の拡散によってレジストの解像度が低下するなどの問題が起こる（LER：Line Edge Roughness）。この問題をレジスト膜を多層化することで解決する。たとえば薄い上層部で微細パターン化を実現し、厚い下層部でエッチング耐性や反射特性、形状を制御する。液浸露光のトップコート、反射膜機能、化学増幅機能などを考慮した多層レジストも開発されている。 - タッチパネル →touch panel
表示するためのディスプレイモニタと入力するためのマトリクススイッチ等を組み合わせた入出力装置。表示された画面に従い、 画面を押下することで、結果が画面上に表示される。入力するためのマトリクススイッチのみを意味する場合もある。 - ダマシン法 ◇damascene
IC の金属配線形成法の一つ。メッキ技術とリフトオフ法を併用した薄膜形成技術。銅（Cu）配線で注目された方法で、層間絶縁膜中に配線形状の溝を形成して、銅などの金属を埋め込む。接続孔に金属のコンタクトプラグを形成した後に配線溝を形成する「シングルダマシン配線法」と、接続孔および配線溝を形成した後、金属を1 度に埋め込む「デュアルダマシン配線法」がある。多層配線層を平坦にするCMP（Chemical Mechanical Polishing）技術と組み合わせて使われている。絶縁層に微細な金属配線層を埋め込む象嵌（damascene）的手法からこの名がある。 → CMP、銅配線 - 単一電子トランジスタ◇single electron transistor
1 個の電子のトンネリングによる電圧変化を利用するトランジスタ。薄い絶縁膜を設けた微小なキャパシタを利用したトランジスタが開発されている。 - 単電子デバイス ◇single electron device
⇒ 単一電子トランジスタ チップ ◇chip ダイ（die）ともいう。IC やICの代名詞として使われている。デバイス機能あるいは電子回路を作り込んだシリコン基板の小片。IC の種類によって、また同一技術でも回路の複雑さや集積度によって、チップの寸法はいろいろなものがある。製造工程ではペレット（Pellet）とも呼ぶ。またパッケージされたIC の完成品をチップということもある。 → ベアチップ - チップセット ◇chip set
一つのまとまったシステム機能を実現するために必要とされる、お互いに関連性の高いIC チップの組み合わせのこと。 - チャンバ ◇chamber
物理的、化学的反応を起こさせるための密封した反応容器。IC の製造では、CVD、スパッタリング、エッチングの各装置で使われている。 - 超解像 ◇super-resolution
回折限界を「超える」という意味。光学系では一般に、解像できる物体の大きさRは、光の波長λに比例し、対物レンズの開口数（NA：Numerical Aperture）に反比例する。R ＝ k1・λ/NAという関係がある。たとえば、波長193 nm のArFエキシマレーザで、NA0.75 のレンズを使い、k1 を0.35 とした場合、90nm の解像度となる。この波長限界以下のパターンを露光する技術をいう。k1 を小さくする工夫が「位相シフトマスク」「多層レジスト」などの技術で、またNAを大きくする有力な方法が投影レンズとウェハの間を水（屈折率 n＝1.44）で満たす「液浸露光技術」などである。 → 位相シフトマスク、液浸露光、多層レジスト - 直接描画 ◇direct writing
⇒ 電子ビーム露光 - 低誘電率膜 ◇low dielectric constant film
⇒ Low-k - デコーダ ◇decoder
復号器。符号化された信号や情報を復元する機能をもつ。解読器ともいう。メモリでは、メモリセルの選択に使う回路をデコーダという。データを一定の規則に基づいて符号化することをエンコードという。 → エンコーダ - デザインハウス ◇design house
半導体メーカから委託を受けて半導体の回路設計を行う企業。回路設計だけに特化しているため、設備投資などが不要。中国、インドなどで急成長している。 → ファブレスメーカ - デザインルール ◇design rule
⇒ 設計基準 - デジタルシグナルプロセッサ ◇digital signal processor
⇒ DSP - デジタル著作権管理◇digital rights management
デジタルデータ（コンテンツ）の著作権を保護する技術の総称。利用や複製を制御・制限するための技術。音声や映像の複製制限や符号化/暗号化、電子透かしなどがある。 - テストハウス ◇test house
半導体製造におけるテストだけを請け負う企業。テストに特化することで、テスト技術、コストなどで優位性を発揮している。 - テスト容易化設計（DFT） ◇design for testability
大規模な論理回路に対し、故障検出率向上と試験時間短縮のため、IC内にテストを行う仕掛けを組み入れた技術。スキャンパス方式（すべてのフリップフロップをシフトレジスタとして動作させられるように回路を追加し直列接続したもの）、論理BISTなどがある。 → BIST - デバイス設計 ◇device design
IC の3 次元的構造を決める設計。構成要素素子、素子間分離、配線系などに関する形状、電気、物性の各特性に関する各技術要素をもとに、目的とする特性を得るようにICの構造を設計すること。 - デバッグ ◇debug
設計品のバグや誤りなどの原因を調べ、それを修正すること。作成したプログラムの異常な部分をバグ（虫の意味）と呼び、バグを探し出して取り除く作業をデバッグという。デバッグをサポートするツールとしてデバッガがある。 - デプレッション型FET ◇depletion-type FET
ノーマリオン型FET（Normally-on FET）ともいう。FET（電界効果型トランジスタ）で、ゲート電圧が 0Vでもドレイン電流が流れるタイプのトランジスタ。 → エンハンスメント型FET - デポジション ◇deposition
堆積。IC 製造工程では薄膜を堆積する工程をいう。気相成長法（PVD、CVD、真空蒸着やスパッタリング法）を用いる。このほか膜形成の手段には、印刷法、スピンコート法、メッキ法などもある。かつては印刷法（スクリーン印刷）は厚膜形成、蒸着法などは薄膜形成と分かれていたが、最近ではスクリーン印刷法でも金属薄膜が形成できるようになった。 → CVD、PVD - デュアルダマシン ◇dual-damascene
⇒ ダマシン法 - デューティ比 ◇duty ratio
デューティともいう。クロックなどの信号の周期に対する「High」や「Low」の時間の比率。「High」、「Low」の時間が同じならデューティ比は50 ％となる。 - デルタシグマ型A-D変換器 （ΔΣ型A-D変換回路） ◇delta sigma A-D converter
デルタシグマ（ΔΣ）変調を用いてアナログ信号をデジタル信号に変換するA-D変換回路。ΔΣ変調とは、ナイキスト周波数以上の周波数でサンプリング（オーバーサンプリング）したアナログ信号の差分（微分）を積分し、量子化後、負帰還をかけて変調すること。量子化雑音を低く抑えることができ、高分解能化に適している。 → A-D変換器、パイプライン型A-D変換器、フラッシュ型A-D変換器 - 電気自動車 ◇electric vehicle
電気エネルギーで走行する自動車。通常は、バッテリ（蓄電池）の蓄えた電気で、モータを駆動させ走行する。走行騒音を大幅に低減でき、排気ガスも放出しないため、地球環境に優しいクリーンな自動車として注目されている。バッテリに外部から直接充電する方式、燃料電池方式、エンジンと併用するハイブリッド方式などがある。 → HEV、PHEV、燃料電池自動車 - 電子ビーム露光 ◇electron beam exposure
電子線露光、EB 露光ともいう。IC 製造工程でウェハ上に塗布したレジスト（感光性樹脂）にパターンを描画する露光法の一つ。マスク作成にも利用されている。電子ビームの走査方式（描画方式）には、ラスタ走査方式とベクタ走査方式がある。ベクタ走査方式には電子ビームの形状を矩形や三角形にして、スループットを高めた可変成型電子ビーム露光装置がある（マスク描画用）。また、ウェハ上に直接、電子ビームでパターンを露光する電子ビーム直接描画（ML2：Mask-Less Lithography）装置には、シングルコラム（鏡筒）のブロック露光方式とマルチビーム方式がある。マルチビーム方式にはマルチビーム可変矩形方式や電子源をマトリクス状に配置した面状電子源方式、大面角に配置した並列ビームを同時に走査するCLA（Correction Lens Array）方式などがある。さらに、マスクを使う電子ビーム直接露光装置には低加速電子ビームを使う等倍露光方式（ PEL：Proximity EB Lithography）と、縮小マスクを使うEPL（EB Projection Lithography）とがある。 → リソグラフィ - 電流センサ →current sensor
電流センサとは、電線・ケーブルを流れる電流を検出するセンサのこと。クランプ式と分割式があり、どちらも電線を切断する必要はないが、 センサで挟んだり穴を貫通させたりする形式になっている。検出の方式により、トロイダルコアの電磁誘導により発生する電流を検知する交流用と、 カットコアとホール素子を組合せた直流用があり、直流用は交流電流にも使用できる。 - 統計的工程管理 ◇statistical process control
⇒ SPC - 統計的なゆらぎ ◇macroscopic fluctuation/statistical fluctuation
微細な大規模ICにおいて、不規則に発生する素子特性のばらつき（ゆらぎ）。微細化の進展によって、従来は無視できたような製造上の加工ばらつき（素子形状や不純物分布など）が、先端デバイスでは素子特性に影響するなど、問題として顕在化してきている。 - 動作周波数 ◇clock frequency
回路を動作させる周波数のこと。クロックに同期して動作する回路の場合は、クロック動作周波数とも言う。A-D変換回路の場合は、一般的にサンプリング用のクロック周波数を指す。 - 銅配線 ◇copper wiring
IC の配線材料としてはアルミニウム（Al）が一般的である。これを銅（Cu）に変えると、アルミニウムに比べて電気抵抗率が約半分となり、配線遅延が少なく、高速化が可能となる。このためMPUなど高速のIC配線材として採用されている。 - ドーパント原子 ◇dopant atom
物質に所望の特性を持たせるため、故意に添加する不純物原子のこと。半導体では、伝導型によって、n型となるものをドナー、p型となるものをアクセプタと称する。 - ドーピング ◇doping
半導体の製造工程では、純粋な半導体にごく少量の添加物を混入（添加）することをいう。添加物は通常、不純物（ドーパント）と呼ばれ、ドープされた半導体を不純物半導体と呼ぶ。添加物の種類と濃度によってさまざまな性質の半導体を形成する。添加物には、ドナーと呼ばれるⅤ族の元素（リン、ひ素、アンチモンなど）と、アクセプタと呼ばれるⅢ族の元素（ホウ素、ガリウム、インジウムなど）がある。ドナーをドープすると、自由電子が増え、n 型半導体となる。一方、アクセプタをドープすると、電子の欠乏による正孔が発生し、p型半導体となる。 → pn 接合 - トップダウン設計 ◇top down design
IC の設計工程で、上流から下流、つまり抽象度の高さの順に、仕様レベル→機能レベル→論理レベル→トランジスタ回路レベル→マスクレベルというように段階的に設計を進めることをいう。これに対して、マスク設計でトランジスタ性能を考慮して、小さなセルから設計を始め、より大きなモジュール、さらにブロックまでを設計することを「ボトムアップ設計」という。 - トランジスタ →transistor
トランジスタとは、増幅、発振、スイッチングなどの動作を行うことができる半導体素子のことである。AT&Tベル研究所で開発された。 トランジスタには端子が3つ付いており、2つの端子の間に流れる電流を、残った1つの端子に加える電流もしくは電圧で制御する仕組みになっている。 このとき、制御を電流によって行うタイプのトランジスタはバイポーラトランジスタと呼ばれている。バイポーラトランジスタはn型の半導体とp型の 半導体が、n-p-n、またはp-n-pの順で接合されている。単にトランジスタといった場合、このバイポーラトランジスタを指していることが多い。 - ドライエッチング ◇dry etching
⇒ エッチング - トリミング ◇trimming
微調整という意味で使われる場合が多い。テレビなどのアナログ回路では、部品の特性誤差による電圧や電流の誤差を半固定の抵抗器やコンデンサで調整する。また、基板上に作った薄膜や厚膜の抵抗器などを、レーザ光やサンドブラシで抵抗値を規定の範囲内に収めることをいう。 - トンネル効果 ◇tunnel effect
あるエネルギー粒子がそのエネルギーより高いエネルギー障壁を透過する現象。エネルギー障壁の幅が原子・分子レベル（ナノメータ）に近づくにつれ、この現象は顕著になる。 - ナノインプリント ◇nanoimprint
微細加工技術の一種で、ナノメータ級の凹凸状パターンを鋳型に形成し、この型を基板上の高分子材料（樹脂など）に押し付け、形状転写することでパターニングを行う。転写には光硬化式と熱式がある。装置価格が従来の露光装置よりも安価で、しかも微細パターンの加工が可能である。低コストでデバイスを生産できる可能性から注目が高まっている。 - ナノテクノロジ ◇nanotechnology
ナノメートルサイズで一定の機能を持つものを構築する技術。1ナノメートル（nm）は10 億分の1m。原子5 個分程度の大きさに相当する。 - 鉛フリーはんだ ◇Lead（Pb）-free solder
鉛（Pb）フリーともいう。これまで、はんだには古くから錫と鉛の合金（Sn-Pb）が使われてきた。量産性・信頼性に優れるためである。しかし、環境や人体に有害となる鉛を削減しようという狙いから、Sn-Pb 系合金に替わるはんだ合金が開発されている。錫と銀と銅の合金（Sn-Ag-Cu）、錫と銀とインジウムとビスマスの合金（Sn-Ag-In-Bi）、錫と銅とニッケルの合金（Sn-Cu-Ni）、錫と亜鉛とビスマスの合金（Sn-Zn-Bi）などがあり、なかでもSn-Ag-Cuが多くの基板実装に用いられている。しかし、組成によってはんだ付け温度が高くなったり、はんだ付け不良防止のために不活性雰囲気のプロセスを用いるなど、実装技術に工夫が求められる場合もある。 - 二酸化シリコン ◇silicon dioxide
一般に「酸化膜」という。シリコン酸化膜ともいう。シリコン（Si）と酸素（O2）の化合物（SiO2）で、非常に安定な膜である。IC のMOSトランジスタのゲート絶縁膜やその他さまざまなところで用いられる。 → SiO2、プレーナ特許 - 日本半導体製造装置協会(SEAJ) ◇Semiconductor Equipment Association of Japan
1985年3月に国内大手半導体製造装置メーカーが発起人となって設立された、半導体およびフラットパネルディスプレイ（FPD）製造装置関連企業を主な会員とする団体。統計調査、業界の課題、新技術に関する調査、各種セミナー、講演会の開催、標準化の推進など幅広い活動を展開している。 - 熱CVD ◇thermal chemical vapor deposition
CVD の一つ。熱化学的気相成長法ともいう。ウェハや膜堆積用材料ガスを200 ～ 900 ℃に加熱し、イオンラジカルなどを発生させてウェハと化学反応を起こし成膜する方法で、成膜時の圧力によって、常圧CVD、減圧CVDに分類される。 → CVD - ネットリスト◇net list
ゲート情報、およびゲート間の接続情報が記述された回路データ。ネットリストを用いてASIC のマスクパターン設計やFPGAへの回路形成を行う。 → ASIC、FPGA、レイアウト設計 - 燃料電池自動車 ◇fuel cell vehicle
FCEV（Fuel Cell Electric Vehicle）ともいう。水素と酸素の化学反応によって生じるエネルギー（燃料電池）を動力源とする自動車。この反応によって排出されるのは水（水蒸気）だけであり、クリーンで、高い発電効率であるため、地球温暖化問題の解決策としても期待されている。 - ノンパンチスルー型IGBT ◇non punch through type IGBT
厚いベース層をもち、オフ状態で空乏層がコレクタ側に届かない構造のＩＧＢＴ。高速性と破壊耐量に優れた特性をもつ。 → パンチスルー型IGBT - パーティクル ◇particle
微粒子のこと。塵埃。IC 製造の拡散工程において、パーティクルは大敵である。パーティクルの存在はICに構造欠陥を生じ、特性・信頼性の劣化、歩留りの低下を引き起こす。 → クリーンルーム - ハードウェア記述言語（HDL） hardware description language
IC の回路設計のために使われるプログラミング言語。設計効率化のために、上流設計で使われる。1980 年代から使われるようになった。代表的なHDLには、VHDL（ VHSIC Hardware Description Language）とVerilog-HDLがある。 → Verilog-HDL、VHDL - ハードマクロ ◇hard macro
回路接続情報（ネットリスト）で登録されているセル。デバイスの種類、デザインルールなどのプロセス技術に依存するので設計の自由度には欠けるが、配置配線の最適化などを行うことでチップ面積は小さくできる。従来からの設計資産（半導体IP）のほとんどはハードマクロである。 → IP、ネットリスト - ハーフトーン型位相シフトマスク ◇half-tone phase-shifting mask、 attenuated phase-shifting mask
光の波長に近いパターンを露光するときに使うフォトマスクの一つ。遮光部が半透明膜になっているマスク。半透明膜を通過した光は、光透過部を通過した光に対して強度が小さくなり、位相も変わる。結果として、ウェハ上でパターンエッジの光の強弱が明確になり、解像度と焦点深度（DOF：depth of field）が向上する。i 線（波長365nm）の時代から採用されている。位相を変える材料（シフタ）として、半透明のフッ素やタンタル（Ta）、モリブデン（Mo）系の複合材料を用いる。なかにはTaSiOx/Ta の2 層構造の位相シフタで透過率と位相を独立に制御するマスクなども開発されている。位相シフトマスク（PSM）には、「レベンソンマスク」（Alternative-PSM）などもある。 → 位相シフトマスク、光学近接効果補正、超解像、レベンソン型位相シフトマスク、リソグラフィ - ハーフピッチ ◇half pitch
ピッチ（線幅＋線間隔）の1/2。ITRS（国際半導体技術ロードマップ）の2005 年版からは、IC の技術世代を表す単位として採用した。DRAMとMPU/ASICでは、最下層の金属配線のハーフピッチを、NAND型フラシュメモリでは、セルアレイ内の多結晶シリコンのワード線のハーフピッチをいう。これまでは、DRAMのハーフピッチを「技術ノード」としていたが、今後はこの表現は使わないことになった。 - バーンイン ◇burn-in
半導体の初期不良を除去する選別手法の一つ。温度や電圧を印加し、動作させた状態で行う加速試験。 - バイオメトリックス◇biometrics
生体のもつ固有の特徴（身体的な特徴）を利用して、本人であるか、そうでないかの認証を行う技術。指紋や声（声紋）、顔、虹彩（アイリス）のように人それぞれ異なる要素を「鍵」にするため、偽造が難しく、盗難もほぼ不可能という特徴をもつ。最近では静脈（血管）パターンや網膜、DNA（遺伝情報）を使うものまで技術の幅が広がっている。 - パイプライン ◇pipeline
各演算ユニットが独立して動作できるようにし、次々に命令を投入・並列実行する方式。通常のプロセッサ（逐次実行方式）では、命令の取り出し（Fetch）→解釈（Decode）→実行（Execute））を順次行うことで処理を行う。一つの命令がこれら全てのステップを終えてから次の命令を実行する。 →スーパーパイプライン - パイプライン型A-D変換器 ◇pipelined A-D converter
低分解能のA-D変換回路を多段用意してパイプライン動作で段階的に量子化するA-D変換回路。1クロックで複数の処理を進めることができる。パイプラインの各ステージには、D-A変換回路、サンプルホールド増幅器、減算増幅器などが集積されている。 → A-D変換器、デルタシグマ型A-D変換器、フラッシュ型A-D変換器 - ハイブリッドIC ◇hybrid IC
混成集積回路ともいう。受動素子と能動素子が集積されている。導体や抵抗パターンの形成方法によって、薄膜ハイブリッドICと厚膜ハイブリッドICに分かれる。基板はセラミック系と樹脂系がある。「モジュール」という場合もある。 → MCM - バイポーラトランジスタ◇bipolar transistor
電子と正孔の両方をキャリア（運び役）として利用するトランジスタ。npn 型とpnp 型の2 種類がある。エミッタ、ベース、コレクタの3 電極があり、ベース電極に流す電流によってエミッタとコレクタ間の電流を制御する。増幅に適し電流駆動能力が大きい。トランジスタ単体として、またバイポーラIC の中で広く使用されている。 - 白色LED ◇white light-emitting-diode
波長が異なる複数の光を重ね合わせて白色の光を出力するLED（発光ダイオード）のこと。重ね合わせの方法には大きく 2 種類ある。青色LEDや近紫外LEDの光を蛍光体材料に当てて混色して白色光を作り出すものと、,赤、緑、青の各LEDを同時に光らせて混色するものとがある。当初は、携帯電話機のバックライト光源での採用が進んでいた。最近は、照明向け白色LEDが注目されている。 → 発光ダイオード - パシベーション ◇passivation
半導体素子の表面保護膜を作る工程。この表面保護膜をパシベーション膜という。通常、ウェハ工程の最後に行われ、パッケージング工程および使用環境から半導体素子を機械的、化学的に保護する。酸化膜や窒化膜が用いられる。 - バス ◇bus
CPU、メモリ、周辺回路の間などで、データ転送を行うための共通の信号経路。転送される情報の種類によって、アドレスバス、データバス、コントロールバスに大別される。 - パターンレイアウト ◇pattern layout
物理形状のパターン（四角形やポリゴンなど）をつかった配置配線の設計工程。IC の回路図や論理回路図を基にしてICチップ内にトランジスタ、FET、ダイオード、抵抗、コンデンサなどの各種部品を配置し、各部品相互間の配線経路を定める工程のことをいう。大規模ICになると各種部品の配置および配線は、チップの性能やサイズを左右するため、困難さと非常に多くの時間を要する。このため各種の自動レイアウトツールが開発され、使われている。さらにチップ面積を小さくしたい場合は、設計者がレイアウトツールを使いながら最適な配置を決定する。 → 物理設計 - バックエンドプロセス◇back end process（BEP）
半導体の前工程（ウェハ工程）では、上地（うわじ）工程のことをいう。素子を相互に接続するための配線あるいは電源やグランド（接地）用の配線構造を作る工程。層間絶縁膜形成、デュアルダマシン構造、パッド形成などががある。これに対して、トランジスタなどの素子を作り込む工程のことを下地（したじ）工程またはフロントエンドプロセス（FEP）という。 → フロントエンドプロセス - 発光ダイオード ◇light emitting
diode LEDともいう。光を放射するダイオード。pn接合をもつ。順方向に電圧を加えると、pn接合部で電子のもつエネルギーが効率的に光に変わる。半導体の種類と添加する材料によって、光の色（波長）が決まる。GaAs系は赤外から赤、GaN系は緑または青色となる。寿命が長く、消費電力も少ない。高輝度の製品が開発され、照明やディスプレイに広く利用されている。 → 白色LED - パッド ◇pad
⇒ ボンディングパッド - バッファメモリ ◇buffer memory
複数の回路、機器、ソフトウェア間などで相互にデータを送受する場合、データ処理や転送の遅延を最小化するために、一時的にデータ保存しておくためのメモリ。 - パテントプール ◇Patent pool
特定のテクノロジーに関連した特許のクロスライセンス契約に合意した2つ以上の企業によるコンソーシアム。特許権所有者とライセンシーの時間と金を節約すると同時に、複雑に関連した特許群においては、その発明を実用化するのにパテントプールが唯一の妥当な方法になる場合もある。 - バリコン →バリアブル‐コンデンサー（variable condenser）の略〕
⇒可変(かへん)コンデンサー - バリスタ →varistor
半導体素子の一種。非直線的な電気抵抗を持ち、落雷などによる突発的な高電圧から回路を保護する目的などに使用されている。 - パワーインテグリティ ◇power integrity
回路の電源系の品質のこと。配線のIRドロップ（電流・抵抗による電圧降下）や、エレクトロマイグレーションに起因する断線、またグランドバウンス（回路の動作によって発生する接地電位の揺らぎ）や同時スイッチングによる電源ノイズを抑えることを指す。 → エレクトロマイグレーション、IRドロップ - パンチスルー型IGBT ◇punch through type IGBT
薄いベース層をもち、オフ状態で空乏層がコレクタ側に届く構造のIGBT。低損失特性に優れた性質をもつ。 → ノンパンチスルー型IGBT - 反転素子 ◇inversion element
代表的なのは、金属－絶縁体－半導体のMIS構造などで、金属に電圧を印加することで、半導体中の少数キャリヤが接合面に引き付けられ、電界効果による反転を起こす素子。MOS FETのゲートなどに用いられ、反転層が形成されると、ソース－ドレイン間をキャリアが移動できるようになり、電流が流れる。 - 半導体 ◇semiconductor
金属のように電流が流れやすい「導体」と、ガラスのように電流がほとんど流れない「絶縁体」との中間の電気伝導性をもつ物質。電圧をかけたり、光を当てたり、熱を加えたりすることで、電気を流したり流さなかったりする性質がある。負の温度係数をもつ。また、不純物の微量な添加によって電気伝導度を制御できる。こうした特性から、半導体はトランジスタやICだけでなく、半導体レーザや各種センサなど、多くの電子デバイスに使われている。 → 真性半導体 - 反応性イオンエッチング ◇reactive ion etching
⇒ RIE → エッチング - バンプ◇bump
IC の電極部にメッキで形成した突起のこと。通常、金（Au）またははんだの電気メッキで形成し、TABやフリップチップにおける基板接続のために使用する。 → TAB、フリップチップ - 汎用IC（IC） ◇general purpose integrated circuit
用途を特定しないIC（IC）。標準的な論理ICなどがある。 → ASIC - 汎用ロジックIC
→ ANDゲート、ORゲート、NOTゲート、NANDゲート、NORゲート、ExORゲートといったゲート回路、や、フリップフロップ、カウンタ、レジスタ、 シフトレジスタ、ラッチ、エンコーダ/デコーダ、マルチプレクサ/デマルチプレクサ、加算器、コンパレータといった簡単な論理機能ブロックなどのデジタル回路 が主体であるが、そういった論理回路だけでなく、バッファやインバータといった論理というよりは駆動電流を増強するアンプの役割をする回路も含まれている。 - ヒートシンク(放熱器)
→一般に、トランジスター類が固定されている放熱器のことをいう。アルミ製が多く、フィンが付いているのは表面積を増やすため。 また、金属地肌よりも黒染めタイプの方が放熱効率はずっと高い。意外なノウハウの塊だ。 - ピエゾ素子 ◇piezoelectric device
⇒ 圧電素子 - 光CVD ◇photo chemical vapor deposition
⇒ CVD - ピクセル ◇pixel
画素。ディスプレイや撮像素子の機能単位。カラー表示の赤（R）、緑（G）、青（B）のそれぞれを１ピクセルという。pix（pic：画像）とelement（要素）の合成語。動画ではペル（pel）ということもある。 → CCD、画素 - ひずみシリコン ◇strained silicon
格子定数の違いによって生じるシリコン結晶格子の歪（ひずみ）を利用して半導体の電子または正孔移動度を向上させる技術。シリコンと格子間隔がわずかに異なる物質（SiGeなど）をシリコンに積層して、物理的にシリコンに引っ張りあるいは圧縮応力を発生させ、結果的に移動度向上に寄与する現象を利用している。これをMOSトランジスタのチャネル層シリコンなどに応用したものを、歪シリコントランジスタなどと呼んでいる。 → SiGe - ヒートシンク(放熱器)
→一般に、トランジスター類が固定されている放熱器のことをいう。アルミ製が多く、フィンが付いているのは表面積を増やすため。 また、金属地肌よりも黒染めタイプの方が放熱効率はずっと高い。意外なノウハウの塊だ。 - ビット ◇bit
デジタルデータの最小単位。Binary Digit（2 進数字）の略。2 値は一般に“0”と“1”で表記する。 - ビット線 ◇bit line
メモリICにおいて、格子状に配列されたメモリセルの中から、書き込み/読み出しを行うセルを選択するための信号線。メモリセルトランジスタのドレイン電極に接続されている。 → ワード線 - ビヘイビアモデル ◇behavior model
実際の回路やデバイス特性を、等価回路で表現するモデリング方法のこと。複雑な回路をトランジスタレベルで再現することなく、コンパクトに表現できるため、シミュレーション効率の向上が可能となる。マクロモデル、等価回路モデルとも言われる。 - 比誘電率 ◇relative dielectric constant
物質の空気に対する誘電率の比のこと。真空の誘電率をεo、物質の誘電率をεとすると物質の比誘電率はεr＝ε/εoで表わされる。 → 誘電率 - ヒューズ
→fuse 〔フューズとも〕電気回路にとりつけて、過大な電流が流れると、発生する熱で溶け、回路を遮断する、薄い板状あるいは細い線状の可溶合金。 安全器などに用いる。 - 評価ボード ◇evaluation board
電子機器を開発する場合に、これから利用するICやASICをボード上に組み上げて、ソフトウェアを読み込み、所望の機能や性能が得られるかどうかを評価する。このために作成されたプリント回路基板（ボード）のこと。 - 表面実装 ◇surface mount
IC や電子部品をプリント配線板などの基板表面に装着（実装）する形態または技術。SMT（Surface Mount Technology）ともいう。 → SMD、SMT、挿入実装 - 表面プラズモン ◇surface plasmon
金属表面を走る量子化されたプラズマ波のこと。金属内の自由電子は、集団で動く時に粗密な領域ができる。そのために電気的な中性が破れ、元に戻ろうとする力によって振動を起こす。この振動が波として伝播する状態をプラズマ波という。一般的に光は金属中の電子とは相互作用しないが、金属表面では、ある条件下でプラズマ波を量子化した状態（表面プラズモン）と相互作用する。このために反射光を測定して表面の電子状態を分析することに良く利用される。 - ファームウェア ◇firmware
特定のハードウェアの基本処理動作を記述したソフトウェア。ハードウェア（ROM）に組み込まれる場合が多い。ハードウェアとの対応が極めて強く、変更が少ないため、ハードなソフトウェアという意味でファームウェアと呼ばれる。 → ミドルウェア - ファウンドリ ◇foundry
ファブレスメーカやＩＤＭから半導体の設計データ/マスク/製造プロセス条件などを入手して、前工程の製造を行う半導体メーカの形態。先端投資を積極的に行い、製造技術で優位性を発揮することで、ビジネスを拡大している。シリコンファウンドリとも呼ばれる。 → IDM、ファブレスメーカ - ファブライト ◇fabrication-light
アセットライトともいう。設備投資の負担を軽減して経営の自由度を向上させる半導体ビジネスの形態。製造設備を100％自社で保有せずに、多くの部分をファウンドリ企業などに製造委託する。 - ファブレスメーカ ◇fabless maker
自社で製造工程（FAB：Fabrication Process）をもたず、マーケティング、開発、セールスだけを行う半導体メーカの形態。製造はファンドリなどの他の半導体メーカに委託し、マーケティングや開発、セールスにリソースを集中する。製造工程への膨大な設備投資が不要で、優れたアイデアと設計能力でビジネスを行うことができる。ファブレスとも呼ばれる。 → IDM、ファウンドリ - ファンアウト ◇fan out
出力端子の駆動能力値。一つの論理回路出力端子に接続できる次段の論理回路数をいう。一つの論理回路の出力端子に接続できる次段の論理回路の入力の数をnとする場合、論理出力端子のファンアウト値はn であるという。ファンアウトの逆のものをファンインという。 - フィルタ
→filter 電気的には、特定の周波数のみ、あるいは特定の帯域のみを通過させる回路。 - フォトエッチング ◇photo-etching
写真の原理を利用した微小加工技術。方法自体は印刷用の写真製版作成に古くから用いられているものと同じ。IC や微細部品の製造には不可欠なもので、高精度が要求される。たとえば、基板をエッチング加工する場合、基板にフォトレジスト（感光性樹脂）を塗布する。その後、マスクを用いて露光、現像過程を経て、基板上にフォトレジストパターンを形成する。この後、基板をエッチングする、これがエッチングマスクとなる。これら一連の工程をフォトエッチングという。 - フォトカプラ →photocoupler
フォトカプラは入力された電気信号を光に変換し、その光で受光素子を導通させることにより信号を伝達する。 内部には発光素子と受光素子が収められ、外部からの光を遮断するパッケージに封じ込められた構造になっている。 - フォトダイオード ◇photo diode
pn接合に効果的に光が当たるようにして、光伝導電流を流れやすくしたダイオード。光を電気信号に変換するために、CCDやCMOSイメージセンサの受光部に用いられる。pn接合が表面に露出しないようにした埋め込み型フォトダイオードは、暗電流が少なく残像を防止できる。 → CCD、CMOSイメージセンサ - フォトマスク ◇photo-mask
レティクルという場合もある。IC 製造工程でステッパなどによってウェハ上にマスクパターンを転写する露光工程で使用される。石英製の板表面にクロムなどで一定の回路パターンを形成したもの。 → リソグラフィ、露光 - フォトリソグラフィ ◇photo-lithography
光を用いた写真食刻技術。 → リソグラフイ - フォトレジスト◇photo-resist
感光性樹脂の一つ。フォトレジストにマスクを使って回路パターンを露光・現像しパターン転写を行う。ポジレジストとネガレジストがある。 - 負帰還 ◇negative feedback
増幅回路の出力信号の一部を入力に戻して、入力信号と逆位相で合成する手法。一般に安定した増幅率を得る場合に用いる。なお同位相で合成することを正帰還という。 - 不揮発性メモリ ◇nonvolatile memory
電源の供給がなくてもデータを記憶しているメモリ。マスクROM、EPROM、フラッシュメモリ、FeRAM、MRAMなどがある。これらに対して、電源を供給し続けないとデータが消えてしまうメモリを揮発性メモリという。 → EEPROM、EPROM、FeRAM、MRAM、揮発性メモリ、マスクROM - 物理設計 ◇physical design
IC設計の工程のひとつ。トランジスタや配線などを、物理的な構成要素に対応させる設計工程のこと。通常、レイアウト設計とマスク設計の両方を含む。ICの機能を実現するトランジスタ回路と配線は、金属層、拡散層、多結晶シリコン層などの上に作られた多角形（ポリゴン）の重ね合わせで実現されている。 - 物理的気相成長法 ◇physical vapor deposition
⇒ PVD - 浮動小数点 ◇floating-point
コンピュータが数値を扱うときの表現手法の一つ。数値を、各桁の値の並びである「仮数部」と、小数点の位置を表わす「指数部」で表現する方法。仮数部に、底を指数でべき乗した値をかけて実数を表現する。表現できる数値の範囲が広いため、科学技術計算などに向いている。小数点に関する処理が必要になるため、特定の位置に小数点を固定している固定小数点数に比べると、計算速度は遅い。表現できる数値の幅に応じて、単精度実数（一つの数値を32ビットで表現する浮動小数点のこと）や倍精度実数（一つの数値を64ビットで表現する浮動小数点のこと）などの種類がある。 → 固定小数点 - 歩留り（ぶどまり） ◇yield（rate）
半導体の製造工程における良品率をいう。投入ウェハ枚数に対する完成良品ウェハ枚数の比率を表す工程歩留りや、1ウェハ当たりのチップ収量数に対しウェハテストで残った良品数の比率を表すチップ歩留りなどがある。一般に歩留りという場合、チップ歩留りを指すことが多い。 - プラズマCVD ◇plasma chemical vapor deposition CVD
（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）の一つ。チャンバ（反応容器）内を減圧し、高周波をかけてプラズマを発生し、原料ガスの原子や分子を励起・反応させて成膜する。 → CVD、MOCVD、熱CVD、光CVD - プラズマエッチング ◇plasma etching
⇒ エッチング - ブラッグ反射 ◇Bragg reflection
結晶中にX線や電子線などが入射するとき、ある特定の方向に反射を起こす干渉現象。結晶内部には周期的な原子構造配列があるため、ある角度（全反射を起こす入射角より大きい）で入射したX線や電子線が、各原子層で反射する際、位相が一致していれば干渉して、互いに強め合うことになる。これをブラッグ反射と呼んでいる。 - フラッシュメモリ ◇flash memory
記憶情報を全ビットあるいはブロック単位で電気的に一括消去できるメモリ。セル構成が簡略なため大容量化が可能で、ビット当たりのコストを低く抑さえることができる。なお、EEPROM（Electrically Erasable and Programmable ROM）は、バイト単位で記憶情報を消去する。 → EEPROM - フラッシュ型A-D変換器 ◇flash A-D converter
分解能に応じた数の電圧比較器を用いて、アナログ信号と参照電圧を比較し、量子化するA-D変換回路。1ステップで変換できるため、高速化に適している。 → A-D変換器、デルタシグマ型A-D変換器、パイプライン型A-D変換器 - プラットフォーム ◇platform
共通基盤のこと。半導体分野では、システムLSI やアプリケーションソフトを短期間に開発できるよう半導体メーカが提供する開発環境をいう。ハードウェアとファームウェア、ソフトウェアの統一のアーキテクチャを構成し、共通ルールに基づいて設計・開発することで、設計資産の再利用性を高め、大幅な設計生産性の向上、設計期間の短縮が可能になる。なお、コンピュータの分野ではハードウェアプラットフォームとして汎用コンピュータやワークステーション、パソコンなどを指し、ソフトウェアプラットフォームは基本ソフトウェア（OS）のことをいう。 - フリップチップ ◇flip chip
IC チップ表面部の電極にバンプと呼ばれる突起電極があるチップ。 → バンプ - プレーナ特許 ◇planar patent
シリコン（Si）単結晶表面の安定な酸化膜（SiO2）をトランジスタの保護膜に使うという特許（J. A.Hoerni、1959 年）。接合部を終始、酸化膜で覆ったままトランジスタを作る工程を示した（プレーナトランジスタ）。それまでは露出した接合部をいかに安定させるかが大きな課題だった。酸化膜に開けた窓（孔）から電極を引き出し、各トランジスタを相互につないで集積回路（IC）としたのがプレーナ集積回路特許（R. A. Noyce、1959年）。なおSiO2はMOSトランジスタのシリコン－酸化膜－電極という構造でも重要な働きをする。 - ブレッドボード ◇bread board
IC、能動部品などの電子部品を用いて、目的とする機能を実現するための回路を仮に組み立てて、ハードウェア的に機能を検証するためのツールをいう。語源は「パン切り台」。ソフトウェアによるシミュレーションでは検証しきれない機能（ハードウェアの性能に依存したもの）のために製作するのが一般的である。また、ソフトウェアによるシミュレータに比較して、実行速度が速いという利点がある。 - フロアプラン ◇floor plan
ICの物理設計で、面積を最小化したり、タイミング制約を満たしたりするために、回路ブロックの概略配置を決める工程。 → レイアウト、レイアウト設計、パターンレイアウト - ブロードバンド ◇broadband
広帯域のこと。高速な通信回線の普及によって実現される次世代のコンピュータネットワークと、その上で提供される大容量のデータを活用したサービス。光ファイバやCATV、xDSLなどの有線通信技術や、無線LAN、IMT-2000といった無線通信技術を用いて実現される、おおむね500kビット/秒以上の通信回線をいう。これに対して電話回線やISDN 回線による数十kビット/秒の回線をナローバンドという。 - プロービング ◇probing
ウェハレベル（チップをウェハから切断・分離する前）で、半導体デバイスの電気的テストを行うこと。チップのボンディングパッドと電気的に接触するのに、金属の探針（プローブ）を使用することからこの名前がついた。チップのボンディングパッドに電気的に接触し、不良チップにマーキングを行い、次の工程の処理を行わないようにする。 - プログレッシブ ◇progressive
テレビやディスプレイで、画面の1フレームの表示を1 回の走査で行うこと。これに対して、1フレームを奇数段目と偶数段目の2 回の走査（2フィールド）で行う方式をインタレースという。コンピュータのディスプレイは静止画や文字を表示することが多く、インタレース方式だとちらつきが生じるため、ほとんどはノンインターレース（プログレッシブ）方式である。 → I-P変換、インタレース - プロセスフロー ◇process flow
IC 製造でウェハからスタートし、ICが作りこまれるまでの一連のプロセス工程の流れ。 → プロセス設計 - プロセス設計 ◇process design
デバイス設計で決められたIC の3 次元的構造、構成要素素子、基本電気特性などを、IC 製造の各プロセスステップにおいてどのような装置や手順で作るかその方法を決める設計。これは、個別プロセスの設計と、それら個別プロセスの組み合わせからなるプロセスフロー設計から成り立つ。 → プロセスフロー - プロパティ検証 ◇property verification
ICの設計工程で行なわれる静的な回路検証手法の一種。設計データが回路の動作要求仕様（プロパティ）を満たしているかどうかを数学的に検証する。 - プロパテント政策 ◇pro-patent policy
知的財産の権利取得と保護を強化するための施策。特許重視政策。 - フロントエンドプロセス ◇front end process（FEP）
IC 製造工程（ウェハ工程）では、シリコン単結晶基板を対象としてトランジスタなどの素子を作り込む下地（したじ）工程のことをいう。ソース/ドレインやゲート酸化膜、コンタクトホールの形成工程がこれに相当する。これに対して、それらの素子を相互に接続するための配線あるいは電源やグランド（接地）用の配線構造を作る工程のことを上地（うわじ）工程またはバックエンドプロセス（BEP）という。 → バックエンドプロセス - ベアチップ ◇bare chip
パッケージに入っていない裸の半導体チップ。ウェハから切り出したばかりのICチップ。パッケージに入っていないことを強調するときに使う。 → KGD - 平坦化技術 ◇planarization technology
エッチングやデポジション（成膜）を繰り返す半導体製造工程で、ウェハ表面の凹凸をなくして平らな表面形状を得る技術。代表的なものに化学的機械的研磨（CMP）がある。多層配線で重要な技術。 → CMP、多層配線 - 変形照明技術 ◇off-axis illumination
露光装置で、解像度や焦点深度を向上させるために、光軸の中心を外した位置に絞りを入れ、フォトマスクに対して露光光束を斜めに入射させる照明方法。斜入射照明（Oblique Illumination）ともいう。通常はマスクに垂直に光を入射する。変形照明アパーチャとして、輪状に光を透過させる輪帯照明（Annular Illumination）や4 極照明（4 つの円状の孔から光を透過させる）などがある。 - ホールIC ◇hall IC
磁界と垂直な方向に移動する電荷が、移動方向と磁界の両方に垂直な方向にローレンツ力を受けること（ホール効果）を利用し、マグネットの磁力を電気信号に変換する磁電変換IC。センサ部（ホール素子）と周辺回路（増幅回路やシュミットトリガ）が同一パッケージに形成されており、マイコンなどに直接ロジックレベルで入力できる。ホールICは、FDDのインデックスセンサ、モータの回転数検出、ブラシレスモータのコイル通電相切換センサ、テープレコーダのオートリバース/オートストップセンサなど多彩な分野で使用される。 - ホットキャリア ◇hot carrier
ホットエレクトロンともいう。半導体中を走りながら大きなエネルギーを得た電子や正孔のこと。このキャリアがゲート酸化膜に飛び込み、しきい電圧などを変化させるなど特性の不安定要因となる。チャネル長が短くなって顕著になってきた。電源電圧を下げるとある程度改善できるが、動作速度が遅くなる。このため、ソースやドレイン、チャネル領域の不純物濃度のプロファイルを工夫して、ホットキャリアの発生を抑える。この一つがLDD（Lightly Doped Drain：MOSトランジスタのソース/ドレイン構造の一つ）である。 → LDD - ポリサイド ◇polycide
ゲート電極構造の一つ。プロセスの微細化に対応したゲート抵抗の低抵抗化のために用いる。ポリシリコン（多結晶シリコン）とCVDあるいはスパッタリングで形成したシリサイド（ケイ素化合物）を重ねた構造。タングステンシリサイド（WSi2）、コバルトシリサイド（CoSi2）、チタンシリサイド（TiSi2）などがある。 - ボンディングパッド ◇bonding pad
チップへの電源電圧の供給や外部との信号のやりとりは、通常リード線を介して行われる。このリード線と内部回路の各端子との接続のため、チップ周辺部に設けられた金属電極をボンディングパッドという。 - マイクロコントローラ ◇microcontroller
⇒ MCU - マイクロコンピュータ ◇microcomputer
単に「マイコン」ともいう。 ⇒ MCU、MPU - マイクロプロセッサ ◇microprocessor
⇒ MPU - マイクロマシン◇micro machine
⇒ MEMS - 前工程 ◇wafer process
⇒ ウェハプロセス、フロントエンドプロセス（FEP） →後工程 - マスク ◇mask
⇒ フォトマスク - マスクROM ◇mask read only memory
ユーザの要求するメモリデータに従って、ICメーカで製造工程中にフォトマスクを使ってメモリセルに“1”または“0”を書き込むROM。マスクROMは他のメモリに比べてメモリセルの面積が小さく、大容量化も進んでいて安価にできる。ただし、書き換えができない。 → PROM - マスタースライス ◇master slice
特定用途向けIC（ASIC）の一種。機能別に分けた回路が作り込まれている下地部のこと。用途に応じて配線を形成することで、異なった機能を実現できる。 → ASIC - マルチコア ◇multi-core
多様な機能を高速に実現するために、複数のプロセッサを搭載したシステムまたはパッケージ。Multicore Processorともいう。複数のプロセッサコアで処理を分担する。各プロセッサコアは基本的に独立しているが、2 次キャッシュなどは共有するものが多い。たとえば携帯電話機では、通信処理など電話機能を担当するプロセッサと、画像や音楽を処理するプロセッサ（DSPなど）を搭載している。数百以上のCPUコアを搭載したプロセッサをメニーコア（Many Ｃｏｒｅ）という。 → メニーコア - マルチホップ ◇multi hop
あるノードが他のノードと無線通信を行う場合、直接通信を行わず、少なくとも一つ以上の中間ノードを経由する方式。電波が直接届く1ホップの範囲内だけでなく、複数の無線中継器を介して、複数のホップで通信が可能になるので、より大規模・広範囲のネットワークが構築できる。 → ZigBee - ミックスドシグナル◇mixed signal
アナログデジタル混在回路。 → アナデジIC - ミドルウェア ◇middleware
データ圧縮/伸長機能、音声認識/合成機能など、特定の機能を各種OS（Operating System）上で動作させるためのソフトウェア。アプリケーションソフトとOSの中間にあるという意味でミドルウェアと呼ばれる。 → ファームウェア - ムーアの法則 ◇Moore’s law
IC に集積可能なトランジスタの数は，約3 年で4倍に増えるという技術開発スピードに関する経験則。米国I n t e l 社の創始者の1 人，ゴードン・ムーア（Gordon Moore）によって1965 年に提唱された。この法則をMPU（Microprocessor Unit）に適用すれば，一つのMPUに集積される素子数は18 カ月ごとに2 倍になる。ムーアの法則は，コンピュータの処理能力やIC の集積密度がどのように向上していくかを予測する場合にしばしば引用される。 - 無機EL ◇inorganic electroluminescence
蛍光体を含む膜に交流高電界を加えたときに起きる電子の衝突励起による発光。発光体に硫化亜鉛（ZnS）などの無機物を使うことから無機ELという。 → エレクトロルミネッセンス、有機EL - 無線LAN ◇wireless LAN
電波や光（赤外線）などを利用したLAN（構内情報通信網）のこと。一般的には無線LANに対応したパソコンからアクセスポイントに接続して使用する。2.4GHz 帯や5GHz 帯を使う無線LAN「IEEE802.11a/b/g」などがある。 → LAN - 無線タグ ◇radio frequency tag
｢ICタグ｣または｢RFID｣（Radio Frequency Identification）とも呼ばれる。長波帯、短波帯、UHF帯、マイクロ波帯の特定の周波数が無線タグに割り当てられている。2mm角以下のチップが一般的であり、管理対象の製品などに貼り付けることにより、工程管理や、物流の管理が容易になる。 → ICカード、NFC - 命令列 ◇instruction sequence
命令とは、マイクロプロセッサなどが実行する基本演算の手順のこと。複数の命令が連なったものを命令列という。プログラムはこれらの命令列で実現される。 - メニーコア ◇many core
数百個のCPUコアを搭載したプロセッサのこと。今後、メニーコアによる高性能プロセッサの実用化が期待されている。 → CPUコア、マルチコア - メモリ →memory
メモリとは、コンピュータにおいて、プログラムやデータを記憶する装置のことである。特に、RAMやROMなどの半導体記憶装置のことである。 メインメモリは半導体素子を利用して電気的に記録を行っている。そのためCPUがダイレクトに読み書きすることが可能で、また動作も非常に 高速であるという利点がある。ただし電源を切ると内容が失われる（揮発する）という欠点がある。記憶できる容量あたりの単価も非常に高くつく。 - 面方位 ◇surface orientation
シリコン単結晶ウェハなどで、表面部分が有する結晶方位。MOS ICでは（100）面などが使用される。 - モータ →motor
磁場内で電流が受ける力を応用して、電気エネルギーを回転などの機械エネルギーに変える装置。電動機。 - モジュール ◇module
マイクロプロセッサなどでは、内部に搭載されたあるまとまりをもった機能を実現するハードウェア部品のことをいう。CPUコアもモジュールのひとつ。CPUコア以外のものを周辺モジュールと呼ぶこともある。また、ある特定の処理（画像処理や音声、音楽、暗号など）を専用に処理するものを専用モジュールと呼ぶこともある。 → CPUコア、MCM - モノリシックIC ◇monolithic integrated circuit
半導体集積回路のこと。同一チップ上に構成されている集積回路。 - 有機EL ◇organic electroluminescence
電極から電子と正孔（ホール）を注入し、有機固体内部で再結合させて、発光させる電流注入型の発光ダイオード。発光体に有機材料を使う。 → エレクトロルミネッセンス、発光ダイオード、無機EL - 誘電体 ◇dielectrics
IC では絶縁体とほぼ同義語で使われる。IC で使われる代表的な誘電体は、シリコン酸化膜（SiO2）、シリコン窒化膜（Si3N4）などがある。コンデンサの主材料。 - 誘電率 ◇permittivity, dielectric constant
誘電体において、電界を加えたときの電束密度（D）を電界（E）で除した値。誘電率をεで表わすと、D＝εEで表される。 → 比誘電率、誘電体 - ユビキタス ◇ubiquitous
ユビキタスは｢いたるところに存在する｣（遍在）という意味。インターネットなどの情報ネットワークに、いつでも、どこでも、誰にでもアクセスできる環境を指し、場所にとらわれない働き方や娯楽が実現できるようになるという意味で使われる。 - ラーニングカーブ ◇learning curve
習熟曲線ともいう。同じICの製造工程では、累計生産量が拡大するにしたがってコストが減少するという経験則。あるいは、その傾向を示す曲線。 - ライフサイクルアセスメント◇life cycle assessment
原材料の資源採取から、運搬、製造、流通、製品使用製品やサービス、廃棄、再資源化に至る、製品の一生における環境影響を、資源・エネルギーの投入量、環境負荷物質の排出量を把握し、定量的に評価する手法。LCAと略す場合がある。 - ライブラリ ◇library
IC 分野では、基本論理ゲート（NOT、OR、NANDなど）や、これらを組み合わせてある規模にまとめた論理回路ブロック、あるいは設計・検証されたセル（基本機能回路）を登録・資産化した総体としてのデータベース。セルライブラリともいう。機能セルをあらかじめ設計しIC の構成要素部品として準備・資産化しておけば、実現すべき機能や性能に応じて、これらを適宜選択し組み合わせて使用することで、容易にICを設計できる。 → IP（設計資産） - ラインセンサ ◇line sensor
エリア（ 2次元）センサに対し、受光部をライン状（1次元）に並べたイメージセンサ。リニアセンサともいう。主に、FAX、コピー、スキャナ、バーコードリーダに用いられる。 → エリアセンサ - ラッチアップ ◇latchup
トランジスタがオフになっても電流が流れ続ける状態。トランジスタ飽和からカットオフに切り換わっても、回路のコレクタ電圧が供給電圧に復帰せず、コレクタ特性のアバランシェ領域に安定点をもつ。ラッチアップは多くのICに見られる4 層pnpn 構造で発生する。とくにCMOS 回路は構造的に寄生npn/pnpバイポーラ（寄生サイリスタ）ができやすい。外来パルス雑音がトリガとなって、このサイリスタがオン状態となり、電源からグランド（接地）に大電流が流れて回路が動作しなくなる。 - ラムバスDRAM ◇Rambus dynamic random access memory
米Rambus 社の提唱する高速DRAM。DirectRambus DRAM（RDRAM）ともいう。 - リーダライタ ◇Reader Writer
各種メモリカード、ICカード、無線タグ用の読み出し/書き込み装置を、リーダライタと呼ぶことが多い。無線タグ用としては、ハンディターミナルに内蔵されているものの商品化も進んでおり、物流用途での使用環境も整備されつつある。 → ICカード、無線タグ - リードフレーム ◇lead frame
チップを乗せる金属製の枠のこと。主に樹脂モールドタイプのパッケージに使う。素材はFe-Ni 系合金やCuなどを使用し、複数個のパターンを連結した形でエッチングまたはプレス加工して作る。 - リコンフィギュラブル ◇reconfigurable
ユーザが要求に応じてシステム構成を変更できる（Programmable）、あるいは使用中にダイナミックに変更できるようにしたシステム。 - リソグラフィ ◇lithography
マスクに描かれた回路パターンをウェハ上に露光転写する工程または技術。ウェハにレジスト（感光性樹脂）を塗布し、これにマスクのパターンを焼き付け、現像する。光の当たったところとそうでないところで、現像後にレジストが残る/残らないに分かれ、レジストの凹凸パターンとなる。この仕組みからリソグラフィ（石版）と呼ばれる。このレジストパターンを基に、ウェハに微細な加工を加える。これには、エッチング（削り取る）、デポジション（別の材料を堆積する）、ドーピング（適当な不純物をしみ込ませる）がある。紫外線を使う光露光（フォトリソグラフィ）、電子線露光、X 線露光などがある。 → フォトエッチング - リチウムイオン電池 ◇Lithium-ion rechargeable battery
代表的な構成では、負極に炭素、正極にリチウム遷移金属酸化物、電解質には有機溶媒＋六フッ化リン酸リチウム （LiPF6） などのリチウム塩を用いる。Ni-Cd蓄電池やNiMH（ニッケル水素蓄電池）に対して、同じエネルギー量で比較すれば、より小型で軽量である。さらに、メモリ効果がないため、継ぎ足し充電を行っても電池の劣化がない。また、低温特性が優れ、他の二次電池ではほとんど動作しない－20℃でも使用できるものもある。なお電池単体をセルという。 → Ni-Cd蓄電池、 NiMH（ニッケル水素蓄電池） - リファレンスボード ◇reference board
電子機器メーカの参考となる応用システムを搭載したプリント回路基板（ボード）のこと。市場で良く利用されるシステムを搭載し、ICを売り込むためにICベンダーが作成する。電子機器メーカが作成する独自システムの参照となるためにこの名がついた。 - リフレッシュ動作 ◇refresh
DRAMにおいて、メモリセルへ同じ記憶情報を、一定間隔で再書き込みする動作のこと。記憶素子であるキャパシタに蓄積された電荷は、その構造上、リークによって経時的に失われるため、同じ記憶情報を維持するために必要となる。 - リフロー ◇reflow
表面実装部品のはんだ付けの一方法。基板にあらかじめはんだペーストを塗布し、この上に表面実装部品を位置決めし、セットしておく。そして基板ごと、高温の雰囲気を通過させることで、塗布したはんだを溶解し、部品と基板との電気的接続を行う方法。赤外線を用いて高温にする方式は、赤外線リフローとも呼ばれる。 - 裏面研磨 ◇back grind
IC の前工程が完了したウェハの裏面を研磨して厚さ数十μ m ～ 200 μ m 程度に薄くすること。目的は、① ICカードや積層チップのためパッケージ厚を薄くする、②基板電位を確保する、ためである。 - 量子効果デバイス ◇quantum effect device
半導体デバイスを微細化してデバイス構造を電子の波長（数10nm 程度）と同程度以下にすると、電子の波動性としての性質に起因する現象が起きる。これを利用したデバイス。 → HEMT - 量子コンピュータ ◇quantum computer
原子、電子、素粒子などを扱う「量子」は、粒子の性質と同時に波としての性質を合わせもつ（量子力学）。この性質を演算に利用したコンピュータ。“1”“0”のほか、これらを任意に重ね合わせることができる「量子ビット」（量子2 状態系、キュービット：Qbit）を基本構成とする。この量子ビットを複数個配列した構造（量子レジスタ）に、素因数分解などさまざまな演算をさせることで、高速の演算処理を行う。 - リレー →relay
継電器。スイッチ制御された入力電気信号を受け取り、出力部に必要な動作電気信号を送って、電気回路を開閉する装置。 ループ構造 ◇loop architecture 反復処理を行う帰還回路を備えた回路構造。増幅回路において、入力信号の利得変化（ループ利得）を得るために用いられ、入力信号と出力信号の極性が同じか反対かによって、正帰還、負帰還と呼ばれる。 - レイアウト設計 ◇layout design
IC チップ上に各種の回路ブロックを配置・配線すること。 → CAD、パターンレイアウト、ネットリスト、フロアプラン、物理設計 - レイテンシ ◇laytency
一般にコンピュータシステム内、あるいはネットワークに接続されたデバイス同士が、データや信号を確実に受け渡しするために設けられる待ち合わせ時間。適切なレイテンシ時間が設定されていないと、データが正常に受け渡せない場合がある。 - レギュレータ →regulator
レギュレータは電力負荷の程度などによってリニアレギュレータとスイッチングレギュレータの2種類に分類される。 リニアレギュレータは、入力電圧よりも低い出力電圧であれば常に一定の電圧へ制御することができる。仕組みが単純で、 安価であるというメリットを持っている。リニアレギュレータのうち特に三端子レギュレータと呼ばれる回路素子は、 手軽な定電圧装置としてよく利用されている。 - レジスタ ◇register
命令による演算に必要なデータを格納するCPUコアなどデバイス内の高速な記憶域。CPUコアでは、通常、レジスタは32または64ビット幅で16本～32本程度ある。 → CPUコア - レティクル ◇reticle
⇒ フォトマスク - レベンソン型位相シフトマスク ◇alternative phase-shifting mask
ラインパターンの一つおきに、位相を変えるシフタを配置したマスク。交互位相配置型（AAPSM：Alter Aperture Phase Shift Mask）ともいう。シフタ構造としては、マスク基板（石英）を掘り込んだものが多い。この溝（位相シフタ）を通過した光は、位相が180 度変わり、シフタのない部分を透過した光と位相を打ち消し合う。結果的に、ウェハ上でパターンエッジ部の光の強弱が明確になり、解像度が向上する。 → 位相シフトマスク、光学近接効果補正、超解像、リソグラフィ、ハーフトーン型位相シフトマスク - 露光 ◇exposure
⇒ リソグラフィ - ロジックIC◇logic integrated circuit
数値計算、論理演算、比較・判断などの各種処理をメインの機能としてもつIC の総称。論理ICともいう。 → 論理回路 - ロット ◇lot
製造工程で、プロセスステップの流れに沿って管理される単位。一般には同じ製造工程で作られる。 - 論理回路 ◇logic circuit
“0”と“1”の2 つの値に対して、論理演算を行い、結果を出力する回路。論理回路には論理積演算を行うAND 回路、論理和演算を行うOR 回路、論理否定演算を行うNOT 回路の3 つの基本回路がある。演算装置内にある加算器などの演算回路はこの3 つの回路を組み合わせて作られている。 → ロジックIC - 論理合成 ◇logic synthesis
ゲートレベルの論理設計を自動的に行う技術。ハードウェア記述言語（HDL）で表現したRTL 記述、真理値表、状態遷移記述、論理式などを入力すると、所望の半導体製造技術（プロセステクノロジ）の下で最適なゲートレベル論理回路（ネットリスト）を自動生成する。 → HDL、RTL、ネットリスト - 論理シミュレーション ◇logic simulation
設計者が意図した通りに論理回路が動作するかどうか、機能とタイミングを検証する方法。狭義には、ゲートレベルで構成された回路記述の検証を指す。広義には、さまざまな設計抽象度の高い設計データを用いたシステムレベルの検証も含まれる。 - 論理設計 ◇logic design
IC 開発で、機能設計に基づいて具体的な論理回路レベルで実現するための設計のこと。EDAツールを多用した自動論理設計では、機能設計で得られたHDL（ハードウェア記述言語）やRTL（Register Transfer Level）の記述に基づいて、ゲート回路レベルの論理回路を設計する。論理システムを論理回路に変換する操作を論理合成ともいう。 → EDA、論理合成 - ワークメモリ ◇work memory
プログラムの実行や変数処理など、高速に動作して情報処理するためのメモリ。高速性、大容量化、動作し続ける耐性（実質的に無制限の書き換えが可能など）が求められる。代表的なメモリとしてDRAMが用いられている。 - ワード線 ◇word line
メモリICにおいて、格子状に配列されたメモリセルの中から書き込み/読み出しを行うセルを選択するための信号線。メモリセルトランジスタのゲート電極に接続されている。 → ビット線 - ワイヤボンディング ◇wire bonding
IC チップ表面のボンディングパッドとパッケージのリードを金線などで電気的に接続すること。 - ワンセグ ◇1 segment
携帯電話などの移動通信機器向けに配信される地上デジタル放送のこと。地上デジタル放送では、一つのチャネルが13のセグメントに分割されており、そのうちの１セグメントを用いることからワンセグと呼ばれる。
